Texas Instruments
MSP430F1121IDW
8 MHz MCU with 4KB FLASH, 256B SRAM, Timer, Comparator 20-SOIC -40 to 85
Цена от 168,42 ₽ до 555,13 ₽
Наличие Texas Instruments MSP430F1121IDW на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 12196 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 260,91 ₽ до 555,13 ₽
На складе 7638 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
На складе 163 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube На складе 8963 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 967 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 12196 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 900 шт.
MOQ от 30 шт.
Цена от 168,42 ₽ до 249,52 ₽
На складе 900 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
Технические характеристики Texas Instruments MSP430F1121IDW, атрибуты и параметры.
Время доступа:
8.00 µs
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
8.00 MHz
Основная архитектура:
RISC
FLASH Memory Size:
4096 B
Частота:
8.00 MHz
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Размер памяти:
4000 B
Mounting Style:
Surface Mount
Количество бит:
16
Number of I/O Pins:
14
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
20
RAM Memory Size:
256 B
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
1.80 V (min), 3.60 V (max)
- 8 MHz MCU with 4KB FLASH, 256B SRAM, Timer, Comparator 20-SOIC -40 to 85
- 16BIT MSP430 RISC 4KB FLASH 8MHZ 1.8/2.5/3.3V 20SOIC
- MCU 16-bit MSP430 MSP430 RISC 4KB Flash 2.5V/3.3V 20-Pin SOIC
Документы по Texas Instruments MSP430F1121IDW, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments MSP430F1121IDW, сравнение характеристик.
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс TQFP.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8192 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 8.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 48.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 64.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 16384 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 5.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 32.
Number of UARTs 0.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8192 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 8.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 22.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 32.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8192 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 8000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 22.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 28.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8000 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 5.
Количество бит 10.
Number of I/O Pins 14.
Number of UARTs 0.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 4096 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 14.
Number of UARTs 0.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8192 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 8000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 8.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 22.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 28.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 4096 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 5.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 14.
Number of UARTs 0.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 20.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 24576 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 24000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 5.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 32.
Number of UARTs 0.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Количество выводов 48.
RAM Memory Size 256 B.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 4000 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 8.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 22.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Количество выводов 32.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 8.00 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 8.00 MHz.
Основная архитектура RISC.
FLASH Memory Size 8192 B.
FRAM Memory Size 0 B.
Частота 8.00 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Number of ADCs 8.
Количество бит 16.
Number of I/O Pins 48.
Number of UARTs 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Количество выводов 64.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).