Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
TLV8544DR
Quad 500-nA RRIO nanopower operational amplifier for cost-optimized systems 14-SOIC -40 to 125
Цена от 54,52 ₽ до 172,86 ₽
Наличие Texas Instruments TLV8544DR на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
Технические характеристики Texas Instruments TLV8544DR, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
8.00 kHz
Input Offset Drift:
800 nV/K
Статус жизненного цикла:
Pre-Release
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 125 °C
Количество выводов:
14
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
3.50 mV/μs
- Quad 500-nA RRIO nanopower operational amplifier for cost-optimized systems 14-SOIC -40 to 125
- Operational Amplifier Quad 0.0035V/us 1.7V to 3.6V 14-Pin SOIC T/R
- Op Amp Quad Nanopower Amplifier R-R I/O 3.6V 14-Pin SOIC T/R
Документы по Texas Instruments TLV8544DR, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments TLV8544DR, сравнение характеристик.
Пропускная способность 100 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 40.0 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 10.0 V.
Пропускная способность 27.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 30.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 290 V/μs.
Пропускная способность 10.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 10.0 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 10.0 V/μs.
Пропускная способность 1.20 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.20 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 400 mV/μs.
Thermal Shutdown No.
Пропускная способность 500 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
Ток покоя 810 µA.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 5.00 V/μs.
Supply Current 810 µA.
Пропускная способность 350 kHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 350 kHz.
Input Offset Drift 50.0 nV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 175 °C (max).
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 160 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 600 mV/μs.
Supply Current 200 µA (max).
Пропускная способность 36.0 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 30.0 MHz.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 14.0 V/μs.
Supply Current 230 µA.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 3.00 MHz.
Input Offset Drift 300 nV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -40.0 °C to 125 °C.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 1.50 V/μs.
Пропускная способность 2.30 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 100 kHz.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 1.
Количество контуров 1.
Рабочая Температура 125 °C (max).
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 4.50 V/μs.
Supply Current 18.0 µA (max).
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 15.0 MHz.
Input Offset Drift 2.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Pre-Release.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 40.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 7.00 V/μs.
Supply Current 8.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 36.0 V (max).