Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3441DV-T1

Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP

Цена от 19,44 ₽ до 46,63 ₽

Наличие Vishay Siliconix SI3441DV-T1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 3000 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 3000 шт.
Обновлено 08:28 08.02.2021
Цена по запросу.
Америка 5
В наличии до 57000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 19,44 ₽ до 46,63 ₽
США
На складе 4639 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
46,63 ₽ от 1 шт.
38,86 ₽ от 13 шт.
31,09 ₽ от 60 шт.
21,76 ₽ от 223 шт.
19,44 ₽ от 1059 шт.
США
На складе 57000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 20:07 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2916 шт.
Обновлено 16:15 10.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 4434 шт.
Обновлено 16:33 08.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 2252 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3441DV-T1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-8.00 V to 8.00 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
960 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
135 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
  • Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin TSOP
  • N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET -20V -2.3A 0.96W TSOP-6
  • Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon

Документы по Vishay Siliconix SI3441DV-T1, инструкции, описания, datasheet.

Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay Siliconix SI3441DV-T1, сравнение характеристик.

Vishay Siliconix SI4947ADY-T1
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.20 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 135 mΩ.
RoHS Compliant.