Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3454DV-T1

Mosfet Recommended Alt 781-SI3456DDV-GE3

Цена от 33,05 ₽ до 79,31 ₽

Наличие Vishay Siliconix SI3454DV-T1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 1
В наличии до 1034 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 33,05 ₽ до 79,31 ₽
США
На складе 1034 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
79,31 ₽ от 1 шт.
66,09 ₽ от 8 шт.
52,87 ₽ от 36 шт.
37,01 ₽ от 131 шт.
33,05 ₽ от 622 шт.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3454DV-T1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
4.20 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
65.0 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3456DDV-GE3
  • N-CH TSOP-6, 30V, 0.065R
  • N-Channel MOSFETs 30V 3.4A 2W

Документы по Vishay Siliconix SI3454DV-T1, инструкции, описания, datasheet.

Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)