Vishay Siliconix
SI3552DV-T1
N/p-ch Mosfet TSOP-6 30V 105/200MOHM @ 10V
Цена от 29,24 ₽ до 70,56 ₽
Наличие Vishay Siliconix SI3552DV-T1 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 14950 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 14950 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2900 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 29,24 ₽ до 70,56 ₽
На складе 2900 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
На складе 45 шт.
Обновлено 18:18 19.02.2021
Технические характеристики Vishay Siliconix SI3552DV-T1, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V to 30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
51.0 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.15 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
105 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
- N/P-CH MOSFET TSOP-6 30V 105/200MOHM @ 10V
- Dual MOSFETs 30V 2.5/1.8A
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: двойной канал N / P
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Continuous Drain Current, Id:51A
- On Resistance, Rds(on):0.36ohm
- Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
- Package/Case:6-TSOP
- Соответствует RoHS: Нет
Документы по Vishay Siliconix SI3552DV-T1, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay Siliconix SI3552DV-T1, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -30.0 V to 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-23-6, TSOT-23-6.
Continuous Drain Current (Ids) 51.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.15 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 105 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.