Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3552DV-T1

N/p-ch Mosfet TSOP-6 30V 105/200MOHM @ 10V

Цена от 29,24 ₽ до 70,56 ₽

Наличие Vishay Siliconix SI3552DV-T1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 14950 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 14950 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
Америка 2
В наличии до 2900 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 29,24 ₽ до 70,56 ₽
США
На складе 2900 шт.
Обновлено 11:25 22.02.2021
70,19 ₽ от 1 шт.
58,49 ₽ от 9 шт.
46,79 ₽ от 41 шт.
32,75 ₽ от 151 шт.
29,24 ₽ от 715 шт.
США
На складе 45 шт.
Обновлено 18:18 19.02.2021
70,56 ₽ от 1 шт.
56,13 ₽ от 249 шт.
52,92 ₽ от 626 шт.
49,18 ₽ от 1216 шт.
43,83 ₽ от 1844 шт.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3552DV-T1, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-30.0 V to 30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
51.0 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.15 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
105 mΩ
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • N/P-CH MOSFET TSOP-6 30V 105/200MOHM @ 10V
  • Dual MOSFETs 30V 2.5/1.8A
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: двойной канал N / P
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Continuous Drain Current, Id:51A
  • On Resistance, Rds(on):0.36ohm
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Package/Case:6-TSOP
  • Соответствует RoHS: Нет

Документы по Vishay Siliconix SI3552DV-T1, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Vishay Siliconix SI3552DV-T1, сравнение характеристик.