Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SI3585DV-T1-E3

Trans Mosfet N/p-ch 20V 2A 6-PIN TSOP T/r

Цена от 8,79 ₽ до 132,86 ₽
Datasheet

Наличие Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 3400 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 8,79 ₽ до 12,99 ₽
Китай
На складе 3400 шт.
MOQ 495 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
12,99 ₽ от 495 шт.
10,70 ₽ от 1195 шт.
10,44 ₽ от 1830 шт.
10,06 ₽ от 2535 шт.
9,80 ₽ от 3250 шт.
8,79 ₽ от 4350 шт.
Америка 1
В наличии до 32 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена 132,86 ₽
Канада
На складе 32 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
132,86 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
19.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
830 mW
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
125 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
  • Trans MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-Pin TSOP T/R
  • МОП-транзистор
  • DUAL
  • 20V
  • 2.4/1.8A
  • TSOP-6
  • Dual N/P Channel Mosfet, 20V, 19A, Tsop

Документы по Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(12 страниц, 08.11.2012)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)