Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
IRFD9110PBF

Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4

Цена от 35,37 ₽ до 621,17 ₽
Datasheet

Наличие Vishay IRFD9110PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 1370 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 35,76 ₽ до 621,17 ₽
Германия
На складе 350 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
48,06 ₽ от 50 шт.
40,69 ₽ от 100 шт.
36,99 ₽ от 300 шт.
35,76 ₽ от 500 шт.
Британия
На складе 87 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
123,17 ₽ от 1 шт.
117,57 ₽ от 20 шт.
104,75 ₽ от 40 шт.
91,78 ₽ от 50 шт.
Британия
На складе 1370 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
621,17 ₽ от 1 шт.
374,37 ₽ от 10 шт.
341,09 ₽ от 100 шт.
334,16 ₽ от 500 шт.
327,22 ₽ от 1000 шт.
320,29 ₽ от 5000 шт.
Америка 15
В наличии до 3500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 35,37 ₽ до 102,21 ₽
США
На складе 818 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
35,37 ₽ от 19 шт.
Канада
На складе 3235 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:49 06.03.2021
Упаковка Tube
56,04 ₽ от 1 шт.
42,88 ₽ от 125 шт.
40,03 ₽ от 400 шт.
37,74 ₽ от 1250 шт.
35,45 ₽ от 4000 шт.
США
На складе 818 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
38,20 ₽ от 1 шт.
36,78 ₽ от 10 шт.
США
На складе 1747 шт.
MOQ 400 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
41,48 ₽ от 400 шт.
38,71 ₽ от 1747 шт.
США
На складе 3500 шт.
Обновлено 07:24 05.03.2021
53,78 ₽ от 50 шт.
47,62 ₽ от 100 шт.
43,32 ₽ от 250 шт.
42,28 ₽ от 500 шт.
39,95 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1301 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Bulk
101,63 ₽ от 1 шт.
83,20 ₽ от 10 шт.
81,66 ₽ от 25 шт.
64,69 ₽ от 100 шт.
54,84 ₽ от 500 шт.
44,67 ₽ от 1000 шт.
42,06 ₽ от 2500 шт.
40,61 ₽ от 5000 шт.
США
На складе 2814 шт.
MOQ 42 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
57,39 ₽ от 98 шт.
55,58 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1900 шт.
MOQ 200 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
55,58 ₽ от 200 шт.
США
На складе 280 шт.
MOQ 21 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
66,09 ₽ от 21 шт.
65,06 ₽ от 25 шт.
64,01 ₽ от 50 шт.
61,03 ₽ от 100 шт.
56,70 ₽ от 500 шт.
США
На складе 280 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
98,97 ₽ от 1 шт.
68,73 ₽ от 10 шт.
67,67 ₽ от 25 шт.
66,57 ₽ от 50 шт.
63,47 ₽ от 100 шт.
58,97 ₽ от 500 шт.
США
На складе 2229 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube
98,28 ₽ от 1 шт.
67,79 ₽ от 10 шт.
67,79 ₽ от 50 шт.
61,76 ₽ от 100 шт.
61,76 ₽ от 1000 шт.
61,65 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 791 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
102,21 ₽ от 1 шт.
70,50 ₽ от 10 шт.
68,41 ₽ от 25 шт.
66,32 ₽ от 50 шт.
64,23 ₽ от 100 шт.
Канада
На складе 944 шт.
Обновлено 16:58 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 308 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 82 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
Цена по запросу.
Азия 3
В наличии до 782 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 65,15 ₽ до 128,34 ₽
Китай
На складе 280 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 05.03.2021
109,56 ₽ от 1 шт.
75,94 ₽ от 10 шт.
74,76 ₽ от 25 шт.
73,55 ₽ от 50 шт.
70,12 ₽ от 100 шт.
65,15 ₽ от 500 шт.
Сингапур
На складе 782 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
128,34 ₽ от 1 шт.
88,59 ₽ от 10 шт.
80,74 ₽ от 100 шт.
80,64 ₽ от 2500 шт.
Китай
На складе 17 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
112,73 ₽ от 1 шт.
109,54 ₽ от 10 шт.
109,54 ₽ от 30 шт.
109,54 ₽ от 100 шт.
109,54 ₽ от 500 шт.
109,54 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Vishay IRFD9110PBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
-100 V
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Текущий рейтинг:
-700 mA
Continuous Drain Current (Ids):
-700 mA, -700 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
4
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
27.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-100 V
  • Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
  • Transistor MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
  • P Channel Mosfet, -100V, 700Ma Hd-1
  • Полярность транзистора: канал p
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:700Ma
  • On Resistance Rds(On):1.2Ohm
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds (On) Испытательное напряжение Vgs: 10 В Соответствие Rohs: Нет
  • MOSFET, P, DIL
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:700mA
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • На сопротивлении Rds (вкл.): 1,2 Ом
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: -4V
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:DIP
  • Количество контактов: 4
  • Current Id Max:-700mA
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Расстояние между выводами: 2,54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Упаковка / корпус: DIP
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Power Dissipation Pd:1.3W
  • Pulse Current Idm:5.6A
  • Row Pitch:7.62mm
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:-100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 20 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В

Документы по Vishay IRFD9110PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 10.05.2012)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)