Наличие Vishay IRFD9120PBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 4200 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 35,76 ₽ до 682,18 ₽
На складе 4200 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 08:11 05.03.2021
На складе 458 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 11:09 05.03.2021
На складе 728 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 05.03.2021
На складе 89 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:01 06.03.2021
В наличии до 8750 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 42,33 ₽ до 123,96 ₽
На складе 4820 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:48 05.03.2021
Упаковка Tube На складе 8750 шт.
Обновлено 07:24 05.03.2021
На складе 199 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 8596 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:47 05.03.2021
Упаковка Bulk На складе 2035 шт.
MOQ 37 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:20 05.03.2021
На складе 235 шт.
MOQ 44 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 442 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 06.03.2021
На складе 767 шт.
MOQ 257 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
На складе 487 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
На складе 442 шт.
MOQ 98 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 302 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 02:41 06.03.2021
На складе 1189 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 12:06 05.03.2021
Упаковка Bulk На складе 199 шт.
MOQ 17 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 2500 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:40 05.03.2021
На складе 812 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 630 шт.
Обновлено 11:34 04.03.2021
Цена по запросу.
На складе 2849 шт.
Обновлено 23:01 04.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 24349 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 38,53 ₽ до 136,96 ₽
На складе 3200 шт.
MOQ 2000 шт.
Обновлено 11:45 05.03.2021
На складе 24349 шт.
MOQ 110 шт.
Обновлено 13:14 03.03.2021
На складе 235 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:29 05.03.2021
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:46 06.03.2021
На складе 478 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 12:13 05.03.2021
Технические характеристики Vishay IRFD9120PBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-100 V
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Текущий рейтинг:
-1.00 A
Continuous Drain Current (Ids):
-1.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
4
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.30 W
Время нарастания:
29.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-100 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
-100 V
- Single P-Channel 100 V 0.6 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
- Transistor MOSFET P-Ch. -1A/-100V DIP4
- P Channel Mosfet, -100V, 1A, Hd-1
- Полярность транзистора: канал p
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- Continuous Drain Current Id:1A
- On Resistance Rds(On):0.6Ohm
- Монтаж транзистора: через отверстие
- Rds (On) Испытательное напряжение Vgs: 10 В Соответствие Rohs: Нет
- MOSFET, P, DIL
- Transistor Polarity:P Channel
- Continuous Drain Current Id:1A
- Напряжение источника стока Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on):600mohm
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
- Пороговое напряжение Vgs Typ: -4V
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
- Transistor Case Style:DIP
- Количество контактов: 4
- SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
- Current Id Max:-1A
- Текущая температура: 25 ° C
- Device Marking:IRFD9120PBF
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Расстояние между выводами: 2,54 мм
- Количество транзисторов: 1
- Упаковка / корпус: DIP
- Power Dissipation Pd:1.3W
- Power Dissipation Pd:1.3W
- Импульсный ток Idm: 8A
- Row Pitch:7.62mm
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Voltage Vds Typ:-100V
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В