Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 3.5 A; 20 V; 3-Pin TO-236

Цена от 13,16 ₽ до 300,20 ₽

Наличие Vishay SI2377EDS-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 3
В наличии до 6180 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 37,05 ₽ до 300,20 ₽
Британия
На складе 6180 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
50,96 ₽ от 20 шт.
46,75 ₽ от 100 шт.
44,00 ₽ от 200 шт.
40,44 ₽ от 500 шт.
37,05 ₽ от 1000 шт.
Британия
На складе 6119 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
300,20 ₽ от 1 шт.
203,40 ₽ от 10 шт.
152,90 ₽ от 100 шт.
120,64 ₽ от 500 шт.
116,43 ₽ от 1000 шт.
110,82 ₽ от 5000 шт.
Британия
На складе 150 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Америка 10
В наличии до 36000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,75 ₽ до 60,42 ₽
США
На складе 3000 шт.
Обновлено 09:25 23.02.2021
15,71 ₽ от 3000 шт.
15,13 ₽ от 6000 шт.
14,56 ₽ от 9000 шт.
13,75 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 47 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
32,47 ₽ от 47 шт.
25,16 ₽ от 100 шт.
24,91 ₽ от 250 шт.
19,88 ₽ от 500 шт.
16,26 ₽ от 1000 шт.
14,04 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
42,78 ₽ от 1 шт.
34,11 ₽ от 10 шт.
33,77 ₽ от 25 шт.
26,17 ₽ от 100 шт.
25,91 ₽ от 250 шт.
20,68 ₽ от 500 шт.
16,91 ₽ от 1000 шт.
14,60 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 16041 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
46,65 ₽ от 1 шт.
36,21 ₽ от 10 шт.
36,21 ₽ от 50 шт.
27,21 ₽ от 100 шт.
17,44 ₽ от 1000 шт.
15,11 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 36000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel
17,12 ₽ от 3000 шт.
16,25 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 36000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
51,10 ₽ от 1 шт.
43,43 ₽ от 10 шт.
40,61 ₽ от 25 шт.
30,18 ₽ от 100 шт.
23,56 ₽ от 500 шт.
19,15 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
60,42 ₽ от 1 шт.
47,13 ₽ от 10 шт.
43,44 ₽ от 25 шт.
39,74 ₽ от 50 шт.
36,16 ₽ от 100 шт.
33,39 ₽ от 250 шт.
30,50 ₽ от 500 шт.
24,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 219 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
60,42 ₽ от 1 шт.
47,13 ₽ от 10 шт.
43,44 ₽ от 25 шт.
39,74 ₽ от 50 шт.
36,16 ₽ от 100 шт.
33,39 ₽ от 250 шт.
30,50 ₽ от 500 шт.
США
На складе 677 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 145 шт.
Обновлено 15:43 22.02.2021
Цена по запросу.
Азия 4
В наличии до 11207 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,16 ₽ до 52,68 ₽
Китай
На складе 6243 шт.
MOQ 330 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
19,42 ₽ от 330 шт.
16,10 ₽ от 795 шт.
15,58 ₽ от 1230 шт.
15,07 ₽ от 1695 шт.
14,56 ₽ от 2195 шт.
13,16 ₽ от 2915 шт.
Китай
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
47,20 ₽ от 1 шт.
37,76 ₽ от 10 шт.
37,38 ₽ от 25 шт.
28,97 ₽ от 100 шт.
28,70 ₽ от 250 шт.
22,83 ₽ от 500 шт.
18,72 ₽ от 1000 шт.
16,04 ₽ от 3000 шт.
Китай
На складе 11207 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
30,99 ₽ от 1 шт.
23,87 ₽ от 10 шт.
22,54 ₽ от 30 шт.
21,23 ₽ от 100 шт.
20,66 ₽ от 500 шт.
20,37 ₽ от 1000 шт.
Сингапур
На складе 3454 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
52,68 ₽ от 5 шт.
49,20 ₽ от 25 шт.
36,54 ₽ от 100 шт.
28,61 ₽ от 500 шт.
25,71 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Vishay SI2377EDS-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TO-236, SOT-23-3, SC-59
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
3
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
1.25 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • SI2377EDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor
  • 3.5 A
  • 20 В
  • 3-Pin TO-236
  • Single P-Channel 20 V 61 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-236
  • Полярность транзистора: канал p
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • Id постоянного тока утечки: 4,4 А
  • На сопротивлении Rds (на): 0,05 Ом
  • Transistor Mounting:surface Mount
  • Rds (On) Испытательное напряжение Vgs: 4,5 В
  • Threshold Voltage Vgs:400Mv
  • Msl: - Соответствует RoHS: Нет
  • MOSFET,P CH,20V,4.4A,DIODE,ESD,SOT23
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current Id:-4.4A
  • Drain Source Voltage Vds:-20V
  • On Resistance Rds(on):0.05ohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -4,5 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 1,25 Вт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:SOT-23
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:-3.7A
  • Рассеиваемая мощность Pd: 1,25 Вт
  • Voltage Vgs Max:-8V

Документы по Vishay SI2377EDS-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Vishay SI2377EDS-T1-GE3, сравнение характеристик.