Компоненты » Дискретные полупроводники » Транзисторы » МОП-транзисторы

Vishay
SI3441BDV-T1

MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P Channel; Drain Source Voltage, Vds: -20V; Continuous Drain...

Datasheet

Наличие Vishay SI3441BDV-T1 на складах.

Склад

Наличие и цена

Америка 1

В наличии до 1967 шт.

MOQ от 100 шт.

США

На складе 1967 шт.

Обновлено 19:17 05.02.2021

Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay SI3441BDV-T1, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:

TSOP

Continuous Drain Current (Ids):

-2.45 A

Mounting Style:

Surface Mount

Количество выводов:

Полярность:

P-Channel

Рассеяние мощности:

1.25 W

Drain to Source Resistance (on) (Rds):

90.0 mΩ

RoHS:

Non-Compliant

МОП-транзистор
Тип транзистора: MOSFET
Transistor Polarity:P Channel
Напряжение истока стока, Vds: -20V
Continuous Drain Current, Id:-2.45A
On Resistance, Rds(on):0.09ohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V
Совместимость с ведущим процессом: Нет Соответствие RoHS: Нет

Документы по Vishay SI3441BDV-T1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация

(6 страниц, 02.12.2005)

Заявление Rohs

(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI3441BDV-T1, сравнение характеристик.

Vishay SI3442BDV-T1-E3

Цена от 13,50 ₽ до 206,49 ₽

Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.

Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.

Тип корпуса / Кейс TSOP.

Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A.

Lead-Free Status Lead Free.

Mounting Style Surface Mount.

Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.

Упаковка Cut Tape (CT).

Количество выводов 6.

Полярность N-Channel.

Рассеяние мощности 20.0 mW.

Drain to Source Resistance (on) (Rds) 90.0 mΩ.

REACH SVHC Compliance No SVHC.

RoHS Compliant.

Vishay SI3441BDV-T1-E3

Цена от 15,15 ₽ до 103,63 ₽