Vishay
SI3456DV-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP
Цена от 15,78 ₽ до 63,13 ₽
Наличие Vishay SI3456DV-T1-E3 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 7188 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 15,78 ₽ до 63,13 ₽
На складе 7188 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 200 шт.
Обновлено 15:48 11.02.2021
Цена по запросу.
На складе 6918 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay SI3456DV-T1-E3, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-20.0 V to 20.0 V
Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
5.10 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.60 W
RoHS:
Compliant
- Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP
- MOSFET Small Sig 30V 5.1A 2W
- MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI3456DDV-GE3
- N-Channel MOSFETs 30V 5.1A 2W
Документы по Vishay SI3456DV-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay SI3456DV-T1-E3, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Continuous Drain Current (Ids) 5.10 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 33.0 mΩ.
RoHS Compliant.