Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI3457BDV-T1-E3

Transistor Mosfet P-ch 30V 3.7A 6-PIN TSOP T/r

Цена от 17,83 ₽ до 138,18 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SI3457BDV-T1-E3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 14875 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 17,83 ₽ до 26,48 ₽
Китай
На складе 14875 шт.
MOQ 245 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
26,48 ₽ от 245 шт.
21,77 ₽ от 585 шт.
21,14 ₽ от 905 шт.
20,50 ₽ от 1245 шт.
19,86 ₽ от 1605 шт.
17,83 ₽ от 2145 шт.
Америка 4
В наличии до 15000 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 30,40 ₽ до 138,18 ₽
США
На складе 1507 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
76,00 ₽ от 2 шт.
60,80 ₽ от 9 шт.
45,60 ₽ от 39 шт.
38,00 ₽ от 153 шт.
30,40 ₽ от 607 шт.
США
На складе 688 шт.
Обновлено 11:22 10.02.2021
138,18 ₽ от 1 шт.
110,54 ₽ от 5 шт.
69,09 ₽ от 22 шт.
41,45 ₽ от 101 шт.
35,93 ₽ от 557 шт.
США
На складе 15000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 662 шт.
Обновлено 15:54 09.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 70 шт.
MOQ от 100 шт.
Швеция
На складе 70 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay SI3457BDV-T1-E3, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
TSOP
Continuous Drain Current (Ids):
-3.70 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
2.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
100 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-30.0 V
  • Transistor MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
  • MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -30V,RDS(ON) 0.044Ohm,ID -3.7A,TSOP-6,PD 1.14W,VGS+/-20V
  • MOSFET, P, 6-TSOP
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: -5A
  • Напряжение источника стока Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on):54mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ:-3V
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2 Вт
  • Transistor Case Style:TSOP
  • Количество контактов: 6
  • Current Id Max:-3.7A
  • Упаковка / коробка: TSOP
  • Тип завершения: SMD
  • Напряжение Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Max:-3V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В

Документы по Vishay SI3457BDV-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(6 страниц, 13.02.2009)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI3457BDV-T1-E3, сравнение характеристик.

ON Semiconductor NTGS3455T1G
Цена от 13,84 ₽ до 284,86 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Текущий рейтинг -3.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 3.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Bulk.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 mΩ.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -30.0 V.
Vishay Siliconix SI3455ADV-T1-E3
Цена от до
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TSOP.
Continuous Drain Current (Ids) -3.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.14 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 100 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.