Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 7.9 A; 20 V; 6-Pin TSOP

Цена от 7,90 ₽ до 262,06 ₽
Datasheet

Наличие Vishay SI3460DDV-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 2
В наличии до 840 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 92,90 ₽ до 262,06 ₽
Британия
На складе 840 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:11 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
262,06 ₽ от 5 шт.
185,80 ₽ от 10 шт.
133,11 ₽ от 100 шт.
106,76 ₽ от 500 шт.
99,83 ₽ от 1000 шт.
92,90 ₽ от 5000 шт.
Британия
На складе 10 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Америка 19
В наличии до 195000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,90 ₽ до 49,25 ₽
США
На складе 30000 шт.
Обновлено 07:24 05.03.2021
8,71 ₽ от 3000 шт.
8,25 ₽ от 6000 шт.
8,01 ₽ от 9000 шт.
7,90 ₽ от 12000 шт.
Канада
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Tape & Reel
11,24 ₽ от 3000 шт.
9,94 ₽ от 9000 шт.
9,87 ₽ от 15000 шт.
9,78 ₽ от 30000 шт.
9,69 ₽ от 60000 шт.
США
На складе 42000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
10,63 ₽ от 3000 шт.
США
На складе 108000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
14,06 ₽ от 3000 шт.
11,28 ₽ от 9000 шт.
11,17 ₽ от 24000 шт.
11,06 ₽ от 45000 шт.
США
На складе 108000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
14,62 ₽ от 3000 шт.
11,73 ₽ от 9000 шт.
11,61 ₽ от 24000 шт.
11,50 ₽ от 45000 шт.
США
На складе 1621 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
11,61 ₽ от 1 шт.
11,61 ₽ от 25 шт.
11,61 ₽ от 50 шт.
11,61 ₽ от 100 шт.
11,61 ₽ от 250 шт.
США
На складе 2215 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel
43,55 ₽ от 1 шт.
35,29 ₽ от 10 шт.
35,29 ₽ от 50 шт.
25,46 ₽ от 100 шт.
16,64 ₽ от 1000 шт.
12,95 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 1621 шт.
MOQ 501 шт.
Обновлено 17:42 04.03.2021
13,62 ₽ от 501 шт.
США
На складе 195000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 23:28 04.03.2021
16,76 ₽ от 3000 шт.
15,64 ₽ от 195000 шт.
Канада
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:53 05.03.2021
Упаковка Cut Tape
46,89 ₽ от 1 шт.
28,02 ₽ от 50 шт.
25,16 ₽ от 100 шт.
20,47 ₽ от 500 шт.
17,61 ₽ от 1500 шт.
США
На складе 572 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:08 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
48,02 ₽ от 1 шт.
41,32 ₽ от 10 шт.
38,69 ₽ от 25 шт.
28,75 ₽ от 100 шт.
22,44 ₽ от 500 шт.
18,24 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 244 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:26 05.03.2021
Упаковка Cut Tape (5 шт.)
23,46 ₽ от 1 шт.
23,46 ₽ от 10 шт.
21,49 ₽ от 25 шт.
21,49 ₽ от 50 шт.
19,86 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1636 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
45,30 ₽ от 1 шт.
36,70 ₽ от 25 шт.
31,59 ₽ от 50 шт.
26,48 ₽ от 100 шт.
23,93 ₽ от 250 шт.
21,25 ₽ от 500 шт.
США
На складе 244 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:22 05.03.2021
49,25 ₽ от 1 шт.
40,65 ₽ от 10 шт.
37,28 ₽ от 25 шт.
33,80 ₽ от 50 шт.
30,43 ₽ от 100 шт.
США
На складе 81 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
Упаковка Cut Tape
41,32 ₽ от 1 шт.
33,62 ₽ от 10 шт.
33,29 ₽ от 25 шт.
США
На складе 4711 шт.
Обновлено 16:53 04.03.2021
Цена по запросу.
США
На складе 480 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 50 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 3000 шт.
Обновлено 17:25 01.03.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 108000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 13,09 ₽ до 58,62 ₽
Китай
На складе 108000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 15:47 04.03.2021
16,50 ₽ от 3000 шт.
14,85 ₽ от 9000 шт.
14,59 ₽ от 24000 шт.
13,09 ₽ от 45000 шт.
Сингапур
На складе 385 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:54 04.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
58,62 ₽ от 1 шт.
47,60 ₽ от 10 шт.
34,19 ₽ от 100 шт.
27,58 ₽ от 500 шт.
22,41 ₽ от 1000 шт.
21,74 ₽ от 3000 шт.

Технические характеристики Vishay SI3460DDV-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
6
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
1.70 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • SI3460DDV-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor
  • 7.9 A
  • 20 В
  • 6-контактный TSOP
  • N-Channel 20 V 0.028 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
  • Mosfet,n Ch,d-S,20V,7.9A,tsop6, Full Reel
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • Continuous Drain Current Id:7.9A
  • На сопротивлении Rds (на): 0,023 Ом
  • Transistor Mounting:surface Mount
  • Threshold Voltage Vgs:400Mv Rohs Compliant: No
  • MOSFET,N CH,D-S,20V,7.9A,TSOP6
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:7.9A
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on):0.023ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
  • Power Dissipation Pd:1.7W
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TSOP
  • Количество контактов: 6
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Current Id Max:6.2A
  • Power Dissipation Pd:1.7W
  • Voltage Vgs Max:8V

Документы по Vishay SI3460DDV-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 08.04.2010)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay SI3460DDV-T1-GE3, сравнение характеристик.

Infineon BSP89H6327XTSA1
Цена от 17,75 ₽ до 375,75 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Continuous Drain Current (Ids) 360 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Infineon BSP129H6327XTSA1
Цена от 22,10 ₽ до 662,77 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Continuous Drain Current (Ids) 120 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 240 V.
Vishay SI4850EY-T1-E3
Цена от 42,04 ₽ до 1 171,63 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 22.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Infineon BSP125H6433XTMA1
Цена от 25,78 ₽ до 476,97 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Continuous Drain Current (Ids) 120 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Infineon BSP324H6327XTSA1
Цена от 23,70 ₽ до 409,03 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Continuous Drain Current (Ids) 170 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Vishay SI2309CDS-T1-GE3
Цена от 14,63 ₽ до 343,86 ₽
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Vishay SI3456DDV-T1-GE3
Цена от 9,36 ₽ до 289,79 ₽
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor NIF5002NT1G
Цена от 40,07 ₽ до 134,01 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 42.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -14.0 V to 14.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-223.
Текущий рейтинг 2.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 2.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Contact.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 165 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 42.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 42.0 V.