Наличие Vishay SI4463DY-T1-E3 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 11680 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 11680 шт.
Обновлено 03:43 05.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2034 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена от 79,85 ₽ до 255,52 ₽
На складе 1244 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
На складе 1501 шт.
Обновлено 15:32 05.03.2021
Цена по запросу.
На складе 2034 шт.
Обновлено 09:16 05.03.2021
Цена по запросу.
На складе 531 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay SI4463DY-T1-E3, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
-20.0 V
Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SO
Continuous Drain Current (Ids):
-9.00 A
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Полярность:
P-Channel
Рассеяние мощности:
3.00 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
20.0 mΩ
RoHS:
Compliant
- Trans MOSFET P-CH 20V 9A 8-Pin SOIC N T/R
- P-Channel MOSFETs 20V 10A 2.5W
- МОП-транзистор
- Напряжение истока стока, Vds: -20V
- Continuous Drain Current, Id:-9A
- On-Resistance, Rds(on):0.02ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V
- Drain-Source Breakdown Voltage:-20V
- Совместимость с ведущим процессом: Да Соответствие RoHS: Да
Документы по Vishay SI4463DY-T1-E3, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay SI4463DY-T1-E3, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -9.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7324.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.