Наличие Vishay VEMT2000X01 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 42000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 93,29 ₽ до 563,10 ₽
На складе 120 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 5980 шт.
MOQ 20 шт.
Обновлено 07:17 02.03.2021
На складе 11325 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:21 02.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 42000 шт.
Обновлено 09:06 02.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 45000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 20,70 ₽ до 132,72 ₽
На складе 6000 шт.
MOQ 6000 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 4265 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 5384 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 17:41 01.03.2021
На складе 5384 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:09 01.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 5950 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:45 01.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 425 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 69 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 425 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:54 02.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 62 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
На складе 45000 шт.
Обновлено 19:22 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9240 шт.
Обновлено 22:47 24.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 11325 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 29,68 ₽ до 105,07 ₽
На складе 6187 шт.
MOQ 100 шт.
Обновлено 12:19 02.03.2021
На складе 5384 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:45 01.03.2021
На складе 11325 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:53 01.03.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 818 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 70 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 70 шт.
Обновлено 17:24 27.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Vishay VEMT2000X01, атрибуты и параметры.
Напряжение пробоя:
20.0 V
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Количество выводов:
2
Полярность:
NPN, N-Channel
Потребляемая мощность:
100 mW
RoHS:
Compliant
Угол обзора:
15 °
Длина волны:
860 nm
- Phototransistor IR Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD T/R
- TRANSISTOR, PHOTO, NPN, 860NM, SMD
- Тран
- TRANSISTOR, PHOTO, NPN, 860NM, SMD
- Полярность транзистора: NPN
- Wavelength Typ:860nm
- Power Consumption:100mW
- Угол обзора: 15 °
- Количество контактов: 2
- MSL:MSL 2A - 4 weeks
- Collector Current Typ:6mA
- PHOT. DIODE SMD REV. GULLWING FILT.
- Полярность транзистора: NPN
- Wavelength Typ:860nm
- Power Consumption:100mW
- Угол обзора: 15 °
- Transistor Case Style:SMD
- Количество контактов: 2
- Half Angle:15°
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 100 ° C
- Напряжение пробоя Vbr: 20 В
- Темновой ток: 1 нА