Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFF120

Преимущества: герметичный силовой полевой МОП-транзистор; Упаковано на производственной линии MIL-PRF-19500

Цена от 438,42 ₽ до 1 337,17 ₽

Наличие Infineon IRFF120 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Freelance Electronics
На складе 3 шт.
Обновлено 18:07 12.02.2021
705,74 ₽ от 1 шт.
561,39 ₽ от 4 шт.
529,31 ₽ от 8 шт.
491,88 ₽ от 12 шт.
438,42 ₽ от 16 шт.
Verical
На складе 592 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:51 12.02.2021
1 165,69 ₽ от 1 шт.
1 154,05 ₽ от 10 шт.
1 142,41 ₽ от 50 шт.
1 131,02 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 592 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 12.02.2021
1 212,32 ₽ от 1 шт.
1 200,22 ₽ от 10 шт.
1 188,10 ₽ от 50 шт.
1 176,27 ₽ от 100 шт.
Classic Components
На складе 1 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
1 337,17 ₽ от 1 шт.
1 323,82 ₽ от 10 шт.
1 310,46 ₽ от 50 шт.
1 297,41 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики Infineon IRFF120, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Continuous Drain Current (Ids):
6.00 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Длина вывода:
14.2 mm
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Part Family:
IRFF120
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
20.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
300 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
2.40 g
  • Benefits: Hermetically packaged power MOSFET
  • Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
  • Single N-Channel 100 V 20 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39-3
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF
  • Tra
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 6А
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):300mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Transistor Case Style:TO-39
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:76mJ
  • Максимальный ток Id: 6A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • External Length / Height:18.03mm
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
  • Junction Temperature Tj Min:-55°C
  • Lead Length:14.22mm
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-39
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Pulse Current Idm:24A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Weight:0.0024kg

Документы по Infineon IRFF120, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRFF120, сравнение характеристик.