Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFF110

Преимущества: герметичный силовой полевой МОП-транзистор; Упаковано на производственной линии MIL-PRF-19500

Цена от 734,13 ₽ до 1 972,80 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFF110 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Quest
На складе 4 шт.
Обновлено 11:23 19.02.2021
1 468,26 ₽ от 1 шт.
978,84 ₽ от 2 шт.
734,13 ₽ от 4 шт.
Verical
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
1 729,76 ₽ от 1 шт.
1 575,55 ₽ от 10 шт.
1 490,62 ₽ от 50 шт.
1 414,72 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:26 20.02.2021
1 798,95 ₽ от 1 шт.
1 638,57 ₽ от 10 шт.
1 550,24 ₽ от 50 шт.
1 471,31 ₽ от 100 шт.
Corohmni
На складе 95 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 5 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 8 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 20.02.2021
1 972,80 ₽ от 1 шт.
1 792,38 ₽ от 10 шт.
1 697,91 ₽ от 50 шт.
1 612,40 ₽ от 100 шт.
Kenton Components
На складе 350 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFF110, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Continuous Drain Current (Ids):
3.50 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Длина вывода:
14.2 mm
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Part Family:
IRFF110
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
15.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
600 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
2.40 g
  • Benefits: Hermetically packaged power MOSFET
  • Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
  • Single N-Channel 40 V 0.6 Ohm 6.5 nC 15 W Through Hole Hexfet Transistor -TO-39
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:3.5A
  • On Resistance Rds(On):0.6Ohm
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Количество контактов: 3 контакта Соответствие Rohs: Нет
  • MOSFET, N, TO-39
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:3.5A
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):600mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Transistor Case Style:TO-39
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:68mJ
  • Current Id Max:3.5A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • External Length / Height:18.03mm
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
  • Junction Temperature Tj Min:-55°C
  • Lead Length:14.22mm
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-39
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Weight:0.0024kg

Документы по Infineon IRFF110, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 22.01.2001)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRFF110, сравнение характеристик.

Infineon IRFF120
Цена от 442,88 ₽ до 1 338,55 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Continuous Drain Current (Ids) 6.00 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF120.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 20.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 300 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.
Infineon IRFF130
Цена от 518,21 ₽ до 797,25 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF130.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 180 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.
Infineon 2N6788
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Continuous Drain Current (Ids) 6.00 A.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF120.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 20.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 300 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.