Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFF110

Преимущества: герметичный силовой полевой МОП-транзистор; Упаковано на производственной линии MIL-PRF-19500

Цена от 734,13 ₽ до 1 972,80 ₽

Наличие Infineon IRFF110 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 1534 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 734,13 ₽ до 1 798,95 ₽
США
На складе 4 шт.
Обновлено 11:23 19.02.2021
1 468,26 ₽ от 1 шт.
978,84 ₽ от 2 шт.
734,13 ₽ от 4 шт.
США
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:47 20.02.2021
1 729,76 ₽ от 1 шт.
1 575,55 ₽ от 10 шт.
1 490,62 ₽ от 50 шт.
1 414,72 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:26 20.02.2021
1 798,95 ₽ от 1 шт.
1 638,57 ₽ от 10 шт.
1 550,24 ₽ от 50 шт.
1 471,31 ₽ от 100 шт.
США
На складе 95 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 5 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 8 шт.
Обновлено 00:25 19.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 1534 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 1 612,40 ₽ до 1 972,80 ₽
Китай
На складе 1534 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 20.02.2021
1 972,80 ₽ от 1 шт.
1 792,38 ₽ от 10 шт.
1 697,91 ₽ от 50 шт.
1 612,40 ₽ от 100 шт.
Европа 1
В наличии до 350 шт.
MOQ от 100 шт.
Британия
На складе 350 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRFF110, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Continuous Drain Current (Ids):
3.50 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Длина вывода:
14.2 mm
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Part Family:
IRFF110
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
15.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
600 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
2.40 g
  • Benefits: Hermetically packaged power MOSFET
  • Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
  • Single N-Channel 40 V 0.6 Ohm 6.5 nC 15 W Through Hole Hexfet Transistor -TO-39
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • Continuous Drain Current Id:3.5A
  • On Resistance Rds(On):0.6Ohm
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Количество контактов: 3 контакта Соответствие Rohs: Нет
  • MOSFET, N, TO-39
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current Id:3.5A
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):600mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Transistor Case Style:TO-39
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:68mJ
  • Current Id Max:3.5A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • External Length / Height:18.03mm
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
  • Junction Temperature Tj Min:-55°C
  • Lead Length:14.22mm
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-39
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Power Dissipation Pd:15W
  • Pulse Current Idm:14A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Weight:0.0024kg

Документы по Infineon IRFF110, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRFF110, сравнение характеристик.