Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRFF120

Преимущества: герметичный силовой полевой МОП-транзистор; Упаковано на производственной линии MIL-PRF-19500

Цена от 438,42 ₽ до 1 337,17 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRFF120 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 4
В наличии до 592 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 438,42 ₽ до 1 212,32 ₽
США
На складе 3 шт.
Обновлено 18:07 12.02.2021
705,74 ₽ от 1 шт.
561,39 ₽ от 4 шт.
529,31 ₽ от 8 шт.
491,88 ₽ от 12 шт.
438,42 ₽ от 16 шт.
США
На складе 592 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:51 12.02.2021
1 165,69 ₽ от 1 шт.
1 154,05 ₽ от 10 шт.
1 142,41 ₽ от 50 шт.
1 131,02 ₽ от 100 шт.
США
На складе 592 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:14 12.02.2021
1 212,32 ₽ от 1 шт.
1 200,22 ₽ от 10 шт.
1 188,10 ₽ от 50 шт.
1 176,27 ₽ от 100 шт.
США
На складе 1 шт.
Обновлено 18:41 12.02.2021
Цена по запросу.
Азия 1
В наличии до 712 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 1 297,41 ₽ до 1 337,17 ₽
Китай
На складе 712 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
1 337,17 ₽ от 1 шт.
1 323,82 ₽ от 10 шт.
1 310,46 ₽ от 50 шт.
1 297,41 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики Infineon IRFF120, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage (Drain to Source):
100 V
Continuous Drain Current (Ids):
6.00 A
Lead-Free Status:
Contains Lead
Длина вывода:
14.2 mm
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Part Family:
IRFF120
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
20.0 W
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
300 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Non-Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
100 V
Вес:
2.40 g
  • Benefits: Hermetically packaged power MOSFET
  • Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
  • Single N-Channel 100 V 20 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39-3
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF
  • Tra
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 6А
  • Напряжение источника стока Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on):300mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Transistor Case Style:TO-39
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:76mJ
  • Максимальный ток Id: 6A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • External Length / Height:18.03mm
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Температура перехода Tj Макс .: 150 ° C
  • Junction Temperature Tj Min:-55°C
  • Lead Length:14.22mm
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-39
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 20 Вт
  • Pulse Current Idm:24A
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Voltage Vds Typ:100V
  • Максимальное напряжение Vgs: 4 В
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
  • Voltage Vgs th Max:4V
  • Weight:0.0024kg

Документы по Infineon IRFF120, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 03.09.2007)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRFF120, сравнение характеристик.

Infineon IRFF110
Цена от 737,62 ₽ до 2 003,64 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Continuous Drain Current (Ids) 3.50 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF110.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 15.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 600 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.
Infineon IRFF130
Цена от 520,68 ₽ до 801,04 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.00 A.
Lead-Free Status Contains Lead.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF130.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 180 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.
Infineon 2N6788
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Continuous Drain Current (Ids) 6.00 A.
Длина вывода 14.2 mm.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Part Family IRFF120.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 20.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 300 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Вес 2.40 g.