Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
FGH50N6S2D

FGH50N6S2D Series 600 V 75 A SMT 600V SMPS II Series N-Channel IGBT - TO-247

Цена от 975,62 ₽ до 10 745,83 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FGH50N6S2D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 1800 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
975,62 ₽ от 450 шт.
Avnet
На складе 1800 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
1 142,93 ₽ от 450 шт.
1 126,84 ₽ от 900 шт.
1 094,64 ₽ от 1800 шт.
1 070,49 ₽ от 2700 шт.
1 030,25 ₽ от 3600 шт.
1 006,10 ₽ от 4500 шт.
981,96 ₽ от 45000 шт.
Rochester Electronics
На складе 3424 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
1 137,62 ₽ от 1 шт.
1 114,88 ₽ от 25 шт.
1 092,13 ₽ от 100 шт.
1 069,37 ₽ от 500 шт.
1 046,62 ₽ от 1000 шт.
iodParts
На складе 1350 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
1 108,65 ₽ от 450 шт.
1 070,49 ₽ от 900 шт.
Newark
На складе 253 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
1 690,68 ₽ от 1 шт.
1 488,67 ₽ от 10 шт.
1 368,16 ₽ от 25 шт.
1 327,98 ₽ от 50 шт.
1 287,81 ₽ от 100 шт.
Digi-Key
На складе 244 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
1 722,78 ₽ от 1 шт.
1 517,72 ₽ от 10 шт.
1 394,60 ₽ от 25 шт.
1 312,58 ₽ от 100 шт.
NAC Semi
На складе 23 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
1 710,20 ₽ от 16 шт.
1 590,83 ₽ от 360 шт.
Andel Nordic
На складе 625 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 46 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Farnell
На складе 284 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
10 745,83 ₽ от 1 шт.
8 822,45 ₽ от 5 шт.
7 442,64 ₽ от 10 шт.
7 052,39 ₽ от 50 шт.
6 634,26 ₽ от 100 шт.
6 090,70 ₽ от 250 шт.
Avnet Europe
На складе 29 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 256 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
1 289,58 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor FGH50N6S2D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
75.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
463 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
15.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • FGH50N6S2D Series 600 V 75 A SMT 600V SMPS II Series N-Channel IGBT - TO-247
  • IGBT, N, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:75A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:75A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time Typ:50ns
  • Fall Time tf:50ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:15ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The FGH50N6S2D is a Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBT combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive. These devices are ideally suited for high voltage switched mode power supply applications where low conduction loss, fast switching times and UIS capability are essential. SMPS II LGC devices have been specially designed for: Power Factor Correction (PFC) circuits Full bridge topologies Half bridge topologies Push-Pull circuits Uninterruptible power supplies Zero voltage and zero current switching circuits IGBT formerly Developmental Type TA49344 Diode formerly Developmental Type TA49392 Product Highlights: 100kHz Operation at 390V, 40A 200kHZ Operation at 390V, 25A 600V Switching SOA Capability Typical Fall Time. . . . . . 90ns at TJ = 125C Low Gate Charge. . . . . . 70nC at VGE = 15V Low Plateau Voltage. . . . . . 6.5V Typical UIS Rated. . . . . . 480mJ Low Conduction Loss

Документы по ON Semiconductor FGH50N6S2D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 02.07.2002)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor FGH50N6S2D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor FGH50N6S2
Цена от 539,56 ₽ до 628,01 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
Время нарастания 15.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.