Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
FGH50N6S2

Single, 600V, Smps II Series Size 5 N-channel Igbt

Цена от 548,57 ₽ до 638,50 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor FGH50N6S2 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet
На складе 1616 шт.
MOQ 65 шт.
Обновлено 02:49 27.02.2021
638,50 ₽ от 65 шт.
629,50 ₽ от 70 шт.
611,52 ₽ от 140 шт.
598,03 ₽ от 330 шт.
575,55 ₽ от 650 шт.
562,06 ₽ от 3300 шт.
548,57 ₽ от 6500 шт.
Rochester Electronics
На складе 1616 шт.
Обновлено 10:10 28.02.2021
605,29 ₽ от 1 шт.
593,19 ₽ от 25 шт.
581,08 ₽ от 100 шт.
568,98 ₽ от 500 шт.
556,86 ₽ от 1000 шт.
Andel Nordic
На складе 217 шт.
Обновлено 16:40 28.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor FGH50N6S2, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
75.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Listed by Manufacturer
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
463 W
Время нарастания:
15.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • SINGLE,600V,SMPS II SERIES SIZE 5 N-CHANNEL IGBT
  • ADDED FOR DPP(INTERSIL) PKG ID CHANGE
  • IGBT, N, TO-247
  • DC Collector Current:75A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (20 июня 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:75A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time tf:50ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Max:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Ptot Max:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:15ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по ON Semiconductor FGH50N6S2, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 26.08.2003)
Заявление о достижении
(2 страницы, 20.12.2012)
Заявление Rohs
(1 страница, 26.04.2012)

Товары похожие на ON Semiconductor FGH50N6S2, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 224,05 ₽ до 3 210,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 304,54 ₽ до 3 507,83 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 183,33 ₽ до 3 790,72 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG40N60B3
Цена от 245,06 ₽ до 7 305,62 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP7NC60HD
Цена от 64,94 ₽ до 230,02 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 14.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 14.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 80.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 57,11 ₽ до 1 025,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 54,07 ₽ до 1 138,63 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 159,64 ₽ до 582,23 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 233,28 ₽ до 806,48 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGE200NB60S
Цена от 2 049,89 ₽ до 17 723,02 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 150 A.
Continuous Drain Current (Ids) 200 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole, Screw.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 600 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 112 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG12N60A4D
Цена от 132,93 ₽ до 2 206,54 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 54.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.