Наличие Infineon IRGP20B60PDPBF на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 200 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:52 16.02.2021
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 20 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
На складе 155 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 25 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 23 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
На складе 189 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 83 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 83 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
На складе 498 шт.
MOQ 400 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 100 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 350 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
На складе 300 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 498 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 12 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 83 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
На складе 13758 шт.
MOQ 8 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
Технические характеристики Infineon IRGP20B60PDPBF, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
40.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Part Family:
IRGP20B60PD
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
220 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
6.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
- IRGP20B60PDPbF Series 600 V 22 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
- 600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
- IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.6 V Current release time: 6 ns Power dissipation: 220 W
- IGBT, 600V, 40A, TO-247AC
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current:40A
- Collector Emitter Voltage Vces:2.35V
- Power Dissipation Pd:220W
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
- Transistor Case Style:TO-247AC
- Количество контактов: 3
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Current Ic Continuous a Max:40A
- Device Marking:IRGP20B60PDPbF
- Package / Case:TO-247AC
- Power Dissipation Max:220W
- Power Dissipation Pd:220W
- Power Dissipation Pd:220W
- Pulsed Current Icm:80A
- Время нарастания: 5 нс
- Тип прекращения: сквозное отверстие
- Transistor Polarity:N Channel
- Voltage Vces:600V
Документы по Infineon IRGP20B60PDPBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IRGP20B60PDPBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP35B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 308 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 60.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.