Компоненты » Дискретные полупроводники » Транзисторы » БТИЗ

Infineon
IRGP35B60PDPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 308000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube

Цена от 353,61 ₽ до 1 016,28 ₽

Datasheet

Наличие Infineon IRGP35B60PDPBF на складах.

Дистрибьютор

Наличие и цена

Avnet Europe

На складе 25 шт.

MOQ 25 шт.

Обновлено 07:24 16.02.2021

478,11 ₽ от 25 шт.

460,93 ₽ от 30 шт.

429,44 ₽ от 50 шт.

409,40 ₽ от 100 шт.

366,45 ₽ от 250 шт.

357,86 ₽ от 500 шт.

TME

На складе 1 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 10:23 04.02.2021

892,94 ₽ от 1 шт.

817,77 ₽ от 3 шт.

658,32 ₽ от 10 шт.

586,56 ₽ от 50 шт.

RS Components

На складе 30 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 16:01 15.02.2021

1 016,28 ₽ от 1 шт.

985,58 ₽ от 5 шт.

Kenton Components

На складе 150 шт.

Обновлено 21:49 15.02.2021

Цена по запросу.

Verical

На складе 5275 шт.

MOQ 25 шт.

Обновлено 17:39 16.02.2021

353,61 ₽ от 25 шт.

Rochester Electronics

На складе 8 шт.

Обновлено 09:55 16.02.2021

412,17 ₽ от 1 шт.

403,93 ₽ от 25 шт.

395,69 ₽ от 100 шт.

387,43 ₽ от 500 шт.

379,19 ₽ от 1000 шт.

Arrow Electronics

На складе 5275 шт.

MOQ 400 шт.

Обновлено 16:18 16.02.2021

530,25 ₽ от 400 шт.

478,32 ₽ от 500 шт.

473,48 ₽ от 1000 шт.

468,66 ₽ от 2500 шт.

Avnet

На складе 8 шт.

MOQ 94 шт.

Обновлено 02:47 16.02.2021

Цена по запросу.

Corohmni

На складе 15 шт.

Обновлено 22:46 09.02.2021

Цена по запросу.

One Stop Electro

На складе 28 шт.

Обновлено 00:55 16.02.2021

Цена по запросу.

NAC Semi

На складе 25 шт.

MOQ 25 шт.

Обновлено 18:27 16.02.2021

Цена по запросу.

Classic Components

На складе 39 шт.

Обновлено 00:37 16.02.2021

Цена по запросу.

Win Source Electronics

На складе 11719 шт.

MOQ 12 шт.

Обновлено 09:24 07.02.2021

555,27 ₽ от 12 шт.

458,17 ₽ от 30 шт.

444,21 ₽ от 45 шт.

430,38 ₽ от 60 шт.

416,55 ₽ от 80 шт.

374,92 ₽ от 105 шт.

element14 APAC

На складе 19 шт.

MOQ 1 шт.

Обновлено 14:50 16.02.2021

814,37 ₽ от 1 шт.

722,39 ₽ от 10 шт.

674,49 ₽ от 100 шт.

661,08 ₽ от 250 шт.

617,96 ₽ от 500 шт.

593,05 ₽ от 1000 шт.

557,60 ₽ от 2500 шт.

Технические характеристики Infineon IRGP35B60PDPBF, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:

600 V

Текущий рейтинг:

60.0 A

Lead-Free Status:

Lead Free

Статус жизненного цикла:

Active

Mounting Style:

Through Hole

Рабочая Температура:

-55.0 °C to 150 °C

Упаковка:

Tube

Part Family:

IRGP35B60PD

Количество выводов:

Полярность:

N-Channel

Рассеяние мощности:

308 W

REACH SVHC Compliance:

No SVHC

Время нарастания:

6.00 ns

RoHS:

Compliant

Номинальное напряжение (постоянный ток):

600 V

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 308000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
IGBT with Ultrafast Soft Recovery Diode
Warp2 Series
600 В
22 А
К-247AC
IRGP35B60PDPBF Series 600 V 34 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.85 V Current release time: 8 ns Power dissipation: 308 W
IGBT, 600V, 40A, TO-247AC
Тип транзистора: IGBT
DC Collector Current:60A
Collector Emitter Voltage Vces:2.15V
Power Dissipation Pd:308W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
Transistor Case Style:TO-247AC
Количество контактов: 3
SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
Current Ic Continuous a Max:40A
Package / Case:TO-247AC
Power Dissipation Max:308W
Power Dissipation Pd:308W
Power Dissipation Pd:308W
Pulsed Current Icm:120A
Rise Time:6ns
Тип прекращения: сквозное отверстие
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:600V