Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

STMicroelectronics
STGW30NC60WD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STGW30NC60WD на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Avnet Europe
На складе 4810 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
282,94 ₽ от 30 шт.
282,62 ₽ от 60 шт.
206,58 ₽ от 120 шт.
205,47 ₽ от 180 шт.
205,20 ₽ от 240 шт.
204,90 ₽ от 300 шт.
200,18 ₽ от 3000 шт.
TME
На складе 67 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
391,80 ₽ от 1 шт.
357,63 ₽ от 3 шт.
308,66 ₽ от 10 шт.
258,54 ₽ от 30 шт.
RS Components
На складе 120 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
533,44 ₽ от 10 шт.
505,44 ₽ от 20 шт.
476,48 ₽ от 50 шт.
454,05 ₽ от 100 шт.
RS Components
На складе 34 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
567,80 ₽ от 2 шт.
533,44 ₽ от 10 шт.
505,44 ₽ от 20 шт.
476,48 ₽ от 50 шт.
454,05 ₽ от 100 шт.
Quest
На складе 1100 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
392,54 ₽ от 1 шт.
261,69 ₽ от 4 шт.
196,27 ₽ от 12 шт.
170,10 ₽ от 118 шт.
157,02 ₽ от 338 шт.
Mouser
На складе 662 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
368,61 ₽ от 1 шт.
310,12 ₽ от 10 шт.
292,46 ₽ от 50 шт.
250,53 ₽ от 100 шт.
178,79 ₽ от 1000 шт.
167,75 ₽ от 10000 шт.
Verical
На складе 2922 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
298,08 ₽ от 19 шт.
281,81 ₽ от 25 шт.
225,45 ₽ от 100 шт.
212,92 ₽ от 250 шт.
200,40 ₽ от 500 шт.
180,97 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 2926 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
339,56 ₽ от 1 шт.
293,38 ₽ от 10 шт.
283,39 ₽ от 25 шт.
258,18 ₽ от 100 шт.
198,11 ₽ от 500 шт.
196,21 ₽ от 1000 шт.
194,23 ₽ от 5000 шт.
iodParts
На складе 3480 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
200,31 ₽ от 180 шт.
Digi-Key
На складе 343 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
390,69 ₽ от 1 шт.
328,22 ₽ от 10 шт.
309,77 ₽ от 25 шт.
278,34 ₽ от 100 шт.
Touchstone Systems
На складе 4200 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
NAC Semi
На складе 3780 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 69 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 10164 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STGW30NC60WD, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
60.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
  • STGW30NC60WD Series 600 V 30 A Ultra Fast IGBT Flange Mount - TO-247
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:60A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:60A
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:200A
  • Rise Time:12ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по STMicroelectronics STGW30NC60WD, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(14 страниц, 26.11.2008)

Товары похожие на STMicroelectronics STGW30NC60WD, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP20N60A4
Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.