Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG20N60A4D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
365,60 ₽ от 1 шт.
329,16 ₽ от 3 шт.
269,93 ₽ от 10 шт.
234,62 ₽ от 30 шт.
Farnell
На складе 1565 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
2 564,50 ₽ от 1 шт.
1 930,35 ₽ от 10 шт.
1 777,03 ₽ от 100 шт.
1 623,72 ₽ от 500 шт.
1 470,41 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 3114 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
193,24 ₽ от 6 шт.
Verical
На складе 10 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
356,14 ₽ от 4 шт.
301,06 ₽ от 10 шт.
297,98 ₽ от 25 шт.
295,00 ₽ от 50 шт.
242,80 ₽ от 100 шт.
217,09 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 66 шт.
MOQ 6 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
242,04 ₽ от 6 шт.
231,63 ₽ от 25 шт.
222,81 ₽ от 50 шт.
Arrow Electronics
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
370,39 ₽ от 1 шт.
313,10 ₽ от 10 шт.
309,90 ₽ от 25 шт.
306,80 ₽ от 50 шт.
252,51 ₽ от 100 шт.
225,77 ₽ от 250 шт.
Digi-Key
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
459,11 ₽ от 1 шт.
385,06 ₽ от 10 шт.
363,45 ₽ от 25 шт.
311,55 ₽ от 100 шт.
276,93 ₽ от 500 шт.
237,12 ₽ от 1000 шт.
228,60 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 193 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
355,59 ₽ от 3 шт.
301,18 ₽ от 10 шт.
298,09 ₽ от 25 шт.
295,11 ₽ от 50 шт.
243,35 ₽ от 100 шт.
233,31 ₽ от 250 шт.
Mouser
На складе 248 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
384,07 ₽ от 1 шт.
326,68 ₽ от 10 шт.
326,68 ₽ от 50 шт.
275,91 ₽ от 100 шт.
237,28 ₽ от 1000 шт.
237,28 ₽ от 10000 шт.
Newark
На складе 363 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
242,18 ₽ от 1 шт.
242,18 ₽ от 10 шт.
242,18 ₽ от 25 шт.
242,18 ₽ от 50 шт.
242,18 ₽ от 100 шт.
242,18 ₽ от 250 шт.
Arrow Electronics
На складе 193 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
369,82 ₽ от 1 шт.
313,23 ₽ от 10 шт.
310,02 ₽ от 25 шт.
306,92 ₽ от 50 шт.
253,09 ₽ от 100 шт.
242,64 ₽ от 250 шт.
Avnet
На складе 363 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
408,61 ₽ от 1 шт.
346,63 ₽ от 10 шт.
323,67 ₽ от 25 шт.
300,72 ₽ от 50 шт.
277,76 ₽ от 100 шт.
261,69 ₽ от 250 шт.
354,66 ₽ от 500 шт.
Newark
На складе 1561 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
408,61 ₽ от 1 шт.
346,63 ₽ от 10 шт.
323,67 ₽ от 25 шт.
300,72 ₽ от 50 шт.
277,76 ₽ от 100 шт.
261,69 ₽ от 250 шт.
NAC Semi
На складе 750 шт.
MOQ 59 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
282,35 ₽ от 59 шт.
262,84 ₽ от 750 шт.
Verical
На складе 363 шт.
MOQ 24 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
283,99 ₽ от 24 шт.
Andel Nordic
На складе 321 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
One Stop Electro
На складе 326 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 69 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 4065 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 10 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
453,29 ₽ от 1 шт.
380,23 ₽ от 10 шт.
376,43 ₽ от 25 шт.
372,76 ₽ от 50 шт.
294,38 ₽ от 100 шт.
253,98 ₽ от 250 шт.
LCSC
На складе 211 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
387,77 ₽ от 1 шт.
337,59 ₽ от 10 шт.
328,18 ₽ от 30 шт.
319,02 ₽ от 100 шт.
314,89 ₽ от 500 шт.
309,85 ₽ от 1000 шт.
element14 APAC
На складе 1561 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
520,24 ₽ от 1 шт.
440,72 ₽ от 10 шт.
353,53 ₽ от 100 шт.
339,16 ₽ от 250 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG20N60A4D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
45.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
290 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:70A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:70A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG20N60A4D
  • Fall Time Typ:32ns
  • Fall Time tf:32ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Pulsed Current Icm:280A
  • Rise Time:12ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTG20N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49339. The diode used in anti-parallel is the development type TA49372.This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies.

Документы по ON Semiconductor HGTG20N60A4D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 08.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG20N60A4D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP20N60A4
Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.