Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG20N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
RS Components
На складе 237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
640,82 ₽ от 1 шт.
620,94 ₽ от 5 шт.
RS Components
На складе 471 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
620,94 ₽ от 5 шт.
Farnell
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
3 163,82 ₽ от 1 шт.
2 404,22 ₽ от 10 шт.
2 125,47 ₽ от 100 шт.
2 048,82 ₽ от 500 шт.
2 007,00 ₽ от 1000 шт.
Avnet Europe
На складе 520 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
Newark
На складе 441 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
220,37 ₽ от 1 шт.
220,37 ₽ от 10 шт.
220,37 ₽ от 25 шт.
220,37 ₽ от 50 шт.
220,37 ₽ от 100 шт.
220,37 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 441 шт.
MOQ 27 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
258,42 ₽ от 27 шт.
Verical
На складе 385 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
386,38 ₽ от 2 шт.
356,14 ₽ от 10 шт.
336,83 ₽ от 100 шт.
330,42 ₽ от 250 шт.
Avnet
На складе 450 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
362,46 ₽ от 30 шт.
362,04 ₽ от 40 шт.
361,60 ₽ от 70 шт.
343,47 ₽ от 150 шт.
340,89 ₽ от 300 шт.
338,31 ₽ от 1500 шт.
335,73 ₽ от 3000 шт.
Rochester Electronics
На складе 900 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
365,02 ₽ от 1 шт.
357,72 ₽ от 25 шт.
350,42 ₽ от 100 шт.
343,12 ₽ от 500 шт.
335,81 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 385 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
401,84 ₽ от 1 шт.
370,39 ₽ от 10 шт.
350,30 ₽ от 100 шт.
343,63 ₽ от 250 шт.
Digi-Key
На складе 448 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
697,50 ₽ от 1 шт.
585,70 ₽ от 10 шт.
552,75 ₽ от 25 шт.
473,79 ₽ от 100 шт.
421,15 ₽ от 500 шт.
360,61 ₽ от 1000 шт.
347,65 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 2670 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
446,39 ₽ от 30 шт.
409,87 ₽ от 660 шт.
383,37 ₽ от 1320 шт.
363,52 ₽ от 1980 шт.
iodParts
На складе 1350 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
363,81 ₽ от 100 шт.
Mouser
На складе 694 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
504,36 ₽ от 1 шт.
429,31 ₽ от 10 шт.
429,31 ₽ от 50 шт.
396,21 ₽ от 100 шт.
365,30 ₽ от 1000 шт.
365,30 ₽ от 10000 шт.
Avnet
На складе 441 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
524,54 ₽ от 1 шт.
446,49 ₽ от 10 шт.
435,01 ₽ от 25 шт.
423,53 ₽ от 50 шт.
412,05 ₽ от 100 шт.
392,54 ₽ от 250 шт.
454,52 ₽ от 500 шт.
NAC Semi
На складе 720 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
460,26 ₽ от 60 шт.
430,42 ₽ от 720 шт.
Verical
На складе 450 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
438,14 ₽ от 450 шт.
NAC Semi
На складе 360 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
517,65 ₽ от 60 шт.
482,07 ₽ от 360 шт.
Classic Components
На складе 254 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 908 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 109 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
666,82 ₽ от 1 шт.
568,14 ₽ от 10 шт.
524,07 ₽ от 100 шт.
499,16 ₽ от 250 шт.
483,83 ₽ от 500 шт.
LCSC
На складе 26 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
975,15 ₽ от 1 шт.
841,32 ₽ от 10 шт.
816,79 ₽ от 30 шт.
792,04 ₽ от 100 шт.
781,04 ₽ от 500 шт.
767,74 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG20N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
45.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
290 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)
  • Тип транзистора: IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Collector Current, Ic:70A
  • Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V
  • Power Dissipation, Pd:290W
  • Соответствует RoHS: Да
  • The HGTG20N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS, welder and induction heating.
  • IGBT, N, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:70A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:70A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG20N60A4
  • Fall Time tf:32ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Max:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Power Dissipation Ptot Max:290W
  • Pulsed Current Icm:280A
  • Rise Time:12ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по ON Semiconductor HGTG20N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 19.02.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG20N60A4, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP20N60A4
Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.