Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG30N60A4

Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG30N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 920 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
263,65 ₽ от 5 шт.
Digi-Key
На складе 4862 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
625,76 ₽ от 1 шт.
525,44 ₽ от 10 шт.
495,93 ₽ от 25 шт.
425,07 ₽ от 100 шт.
377,83 ₽ от 500 шт.
323,52 ₽ от 1000 шт.
311,89 ₽ от 2500 шт.
Mouser
На складе 613 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
535,26 ₽ от 1 шт.
449,18 ₽ от 10 шт.
449,18 ₽ от 50 шт.
379,65 ₽ от 100 шт.
322,26 ₽ от 1000 шт.
322,26 ₽ от 10000 шт.
Future Electronics
На складе 799 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Tube
331,13 ₽ от 1 шт.
Verical
На складе 715 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
378,33 ₽ от 2 шт.
350,29 ₽ от 10 шт.
346,76 ₽ от 25 шт.
346,32 ₽ от 50 шт.
Rochester Electronics
На складе 15750 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
387,11 ₽ от 1 шт.
379,37 ₽ от 25 шт.
371,63 ₽ от 100 шт.
363,88 ₽ от 500 шт.
356,15 ₽ от 1000 шт.
Avnet
На складе 349 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
555,53 ₽ от 1 шт.
471,74 ₽ от 10 шт.
440,75 ₽ от 25 шт.
408,61 ₽ от 50 шт.
377,62 ₽ от 100 шт.
356,96 ₽ от 250 шт.
479,77 ₽ от 500 шт.
iodParts
На складе 270 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
359,94 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 715 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
393,46 ₽ от 1 шт.
364,31 ₽ от 10 шт.
360,63 ₽ от 25 шт.
360,17 ₽ от 50 шт.
Newark
На складе 349 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
367,29 ₽ от 1 шт.
367,29 ₽ от 10 шт.
367,29 ₽ от 25 шт.
367,29 ₽ от 50 шт.
367,29 ₽ от 100 шт.
367,29 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 600 шт.
MOQ 150 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
415,39 ₽ от 150 шт.
381,41 ₽ от 300 шт.
NAC Semi
На складе 431 шт.
MOQ 38 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
436,16 ₽ от 38 шт.
407,46 ₽ от 431 шт.
Verical
На складе 349 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
430,68 ₽ от 16 шт.
Corohmni
На складе 35 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Hamilton Americas
На складе 287 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1848 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
503,42 ₽ от 1 шт.
453,30 ₽ от 3 шт.
399,77 ₽ от 10 шт.
335,99 ₽ от 30 шт.
299,54 ₽ от 120 шт.
RS Components
На складе 232 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
678,69 ₽ от 1 шт.
630,01 ₽ от 6 шт.
RS Components
На складе 508 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
630,01 ₽ от 6 шт.
Farnell
На складе 707 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
3 456,51 ₽ от 1 шт.
2 620,25 ₽ от 10 шт.
1 986,10 ₽ от 100 шт.
1 860,66 ₽ от 500 шт.
1 672,50 ₽ от 1000 шт.
Kenton Components
На складе 380 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 590 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
706,11 ₽ от 1 шт.
599,76 ₽ от 10 шт.
480,96 ₽ от 100 шт.
454,13 ₽ от 250 шт.
426,35 ₽ от 500 шт.
383,23 ₽ от 1000 шт.
Arrow.cn
На складе 715 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
432,81 ₽ от 1 шт.
404,31 ₽ от 10 шт.
400,26 ₽ от 25 шт.
396,34 ₽ от 50 шт.
385,41 ₽ от 100 шт.
LCSC
На складе 16 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:26 16.02.2021
799,61 ₽ от 1 шт.
778,07 ₽ от 10 шт.
763,63 ₽ от 30 шт.
749,42 ₽ от 100 шт.
749,42 ₽ от 500 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG30N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
75.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
463 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Transistor IGBT Chip Negative Channel 600 Volt 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • The HGTG30N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
  • IGBT, N, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:75A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.6V
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:75A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG30N60A4
  • Fall Time tf:38ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Max:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Ptot Max:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по ON Semiconductor HGTG30N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 19.02.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG30N60A4, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP20N60A4
Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.