Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTP20N60A4 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Verical
На складе 49 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
204,84 ₽ от 5 шт.
181,22 ₽ от 10 шт.
179,44 ₽ от 50 шт.
159,59 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 49 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
213,03 ₽ от 1 шт.
188,47 ₽ от 10 шт.
186,62 ₽ от 50 шт.
165,97 ₽ от 100 шт.
Future Electronics
На складе 250 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 01:43 16.02.2021
Упаковка Tube
209,07 ₽ от 1 шт.
186,47 ₽ от 40 шт.
179,69 ₽ от 125 шт.
172,91 ₽ от 400 шт.
167,26 ₽ от 1250 шт.
Verical
На складе 1400 шт.
MOQ 7 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
188,20 ₽ от 30 шт.
184,29 ₽ от 180 шт.
181,40 ₽ от 350 шт.
178,52 ₽ от 870 шт.
175,65 ₽ от 1800 шт.
Digi-Key
На складе 1321 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
386,27 ₽ от 1 шт.
323,92 ₽ от 10 шт.
305,71 ₽ от 25 шт.
262,04 ₽ от 100 шт.
232,92 ₽ от 500 шт.
199,44 ₽ от 1000 шт.
192,27 ₽ от 2500 шт.
Rochester Electronics
На складе 200 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
223,96 ₽ от 1 шт.
219,48 ₽ от 25 шт.
215,00 ₽ от 100 шт.
210,51 ₽ от 500 шт.
206,04 ₽ от 1000 шт.
NAC Semi
На складе 135 шт.
MOQ 71 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
233,00 ₽ от 71 шт.
216,93 ₽ от 135 шт.
One Stop Electro
На складе 192 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 1309 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 49 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
236,27 ₽ от 1 шт.
209,17 ₽ от 10 шт.
207,02 ₽ от 50 шт.
184,23 ₽ от 100 шт.
Win Source Electronics
На складе 2892 шт.
MOQ 19 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
349,91 ₽ от 19 шт.
288,74 ₽ от 45 шт.
279,98 ₽ от 70 шт.
271,22 ₽ от 95 шт.
262,47 ₽ от 125 шт.
236,19 ₽ от 165 шт.
TME
На складе 307 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
331,44 ₽ от 1 шт.
297,27 ₽ от 3 шт.
259,68 ₽ от 10 шт.
220,96 ₽ от 25 шт.
205,01 ₽ от 100 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTP20N60A4, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-220
Текущий рейтинг:
70.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
290 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
  • HGTP20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-220AB
  • The HGTP20N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
  • IGBT, N, TO-220
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:70A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.7V
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Тип корпуса транзистора: TO-220AB
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:70A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Fall Time tf:32ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-220AB
  • Pin Format:GCE
  • Power Dissipation Max:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Power Dissipation Ptot Max:290W
  • Pulsed Current Icm:280A
  • Rise Time:12ns
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V

Документы по ON Semiconductor HGTP20N60A4, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 19.02.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTP20N60A4, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.