Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG30N60A4D на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Mouser
На складе 260 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
604,79 ₽ от 1 шт.
480,08 ₽ от 10 шт.
480,08 ₽ от 50 шт.
411,66 ₽ от 100 шт.
312,33 ₽ от 1000 шт.
307,91 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 1694 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
697,50 ₽ от 1 шт.
585,48 ₽ от 10 шт.
552,57 ₽ от 25 шт.
473,63 ₽ от 100 шт.
421,00 ₽ от 500 шт.
360,48 ₽ от 1000 шт.
347,52 ₽ от 2500 шт.
Verical
На складе 256 шт.
MOQ 4 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
368,50 ₽ от 15 шт.
368,50 ₽ от 25 шт.
368,50 ₽ от 50 шт.
368,50 ₽ от 100 шт.
365,52 ₽ от 250 шт.
Verical
На складе 241 шт.
MOQ 2 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
558,33 ₽ от 2 шт.
454,26 ₽ от 10 шт.
403,71 ₽ от 100 шт.
401,94 ₽ от 500 шт.
Avnet
На складе 312 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
627,84 ₽ от 1 шт.
533,72 ₽ от 10 шт.
498,14 ₽ от 25 шт.
462,56 ₽ от 50 шт.
426,98 ₽ от 100 шт.
402,87 ₽ от 250 шт.
541,75 ₽ от 500 шт.
Arrow Electronics
На складе 241 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
580,66 ₽ от 1 шт.
472,43 ₽ от 10 шт.
419,86 ₽ от 100 шт.
418,02 ₽ от 500 шт.
Newark
На складе 312 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
425,83 ₽ от 1 шт.
425,83 ₽ от 10 шт.
425,83 ₽ от 25 шт.
425,83 ₽ от 50 шт.
425,83 ₽ от 100 шт.
422,38 ₽ от 250 шт.
NAC Semi
На складе 56 шт.
MOQ 56 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
462,56 ₽ от 56 шт.
430,42 ₽ от 360 шт.
iodParts
На складе 1350 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
465,27 ₽ от 100 шт.
NAC Semi
На складе 210 шт.
MOQ 31 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
531,42 ₽ от 31 шт.
495,84 ₽ от 210 шт.
Rochester Electronics
На складе 184 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
553,52 ₽ от 1 шт.
542,45 ₽ от 25 шт.
531,38 ₽ от 100 шт.
520,31 ₽ от 500 шт.
509,24 ₽ от 1000 шт.
Verical
На складе 312 шт.
MOQ 14 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
647,50 ₽ от 14 шт.
619,57 ₽ от 25 шт.
595,88 ₽ от 50 шт.
575,58 ₽ от 100 шт.
558,07 ₽ от 250 шт.
One Stop Electro
На складе 434 шт.
Обновлено 00:55 16.02.2021
Цена по запросу.
Andel Nordic
На складе 548 шт.
Обновлено 02:07 13.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 5183 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 69 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
Abacus Technologies
На складе 1832 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
TME
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
535,31 ₽ от 1 шт.
481,78 ₽ от 3 шт.
420,27 ₽ от 10 шт.
370,16 ₽ от 30 шт.
331,44 ₽ от 120 шт.
Avnet Europe
На складе 70 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:24 16.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 3000 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
499,80 ₽ от 13 шт.
412,36 ₽ от 35 шт.
399,79 ₽ от 50 шт.
387,35 ₽ от 70 шт.
374,92 ₽ от 85 шт.
337,35 ₽ от 115 шт.
Arrow.cn
На складе 241 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:16 02.02.2021
684,62 ₽ от 1 шт.
572,82 ₽ от 10 шт.
500,39 ₽ от 100 шт.
461,14 ₽ от 250 шт.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG30N60A4D, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
60.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
463 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
12.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT, TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:75A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2.6V
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Current Ic Continuous a Max:75A
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Device Marking:HGTG30N60A4D
  • Fall Time Typ:38ns
  • Fall Time tf:38ns
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case:TO-247
  • Pin Configuration:With flywheel diode
  • Power Dissipation Max:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Power Dissipation Pd:463W
  • Pulsed Current Icm:240A
  • Rise Time:12s
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTG30N60A4D is a MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT used is the development type TA49343. The diode used in anti-parallel is the development type TA49373. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for high frequency switch mode power supplies. Formerly Developmental Type TA49345.

Документы по ON Semiconductor HGTG30N60A4D, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 10.09.2004)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(3 страницы, 31.08.2013)
Лист материалов
(3 страницы, 31.08.2013)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG30N60A4D, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,02 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4D
Цена от 193,24 ₽ до 2 564,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP20N60A4
Цена от 159,59 ₽ до 386,27 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW40NC60WD
Цена от 244,82 ₽ до 671,45 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Входная емкость 2.90 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 70.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.