Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

ON Semiconductor
HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N=-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Цена от 241,03 ₽ до 7 198,73 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor HGTG40N60B3 на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Farnell
На складе 666 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
7 198,73 ₽ от 1 шт.
6 913,01 ₽ от 5 шт.
6 627,29 ₽ от 10 шт.
6 306,73 ₽ от 50 шт.
5 986,17 ₽ от 100 шт.
5 804,98 ₽ от 250 шт.
ComS.I.T. Europe - USA - Asia
На складе 300 шт.
Обновлено 12:07 15.02.2021
Цена по запросу.
Quest
На складе 82131 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
688,67 ₽ от 1 шт.
459,11 ₽ от 3 шт.
344,33 ₽ от 7 шт.
298,42 ₽ от 68 шт.
275,47 ₽ от 193 шт.
252,51 ₽ от 834 шт.
241,03 ₽ от 1365 шт.
Verical
На складе 2250 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
930,15 ₽ от 450 шт.
Avnet
На складе 34 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
1 338,31 ₽ от 1 шт.
1 229,28 ₽ от 10 шт.
1 178,77 ₽ от 25 шт.
1 099,58 ₽ от 50 шт.
1 037,60 ₽ от 100 шт.
995,13 ₽ от 250 шт.
1 880,07 ₽ от 500 шт.
Verical
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
1 261,02 ₽ от 1 шт.
1 194,91 ₽ от 25 шт.
1 064,13 ₽ от 100 шт.
Avnet
На складе 2825 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
1 167,86 ₽ от 30 шт.
1 165,63 ₽ от 40 шт.
1 163,28 ₽ от 70 шт.
1 105,74 ₽ от 150 шт.
1 097,43 ₽ от 300 шт.
1 089,11 ₽ от 1500 шт.
1 080,80 ₽ от 3000 шт.
Rochester Electronics
На складе 450 шт.
Обновлено 09:55 16.02.2021
1 175,09 ₽ от 1 шт.
1 151,58 ₽ от 25 шт.
1 128,08 ₽ от 100 шт.
1 104,58 ₽ от 500 шт.
1 081,07 ₽ от 1000 шт.
Arrow Electronics
На складе 450 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
1 311,46 ₽ от 1 шт.
1 242,70 ₽ от 25 шт.
1 106,69 ₽ от 100 шт.
Digi-Key
На складе 304 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
1 779,06 ₽ от 1 шт.
1 567,61 ₽ от 10 шт.
1 440,56 ₽ от 25 шт.
1 355,80 ₽ от 100 шт.
1 228,69 ₽ от 500 шт.
1 127,01 ₽ от 1000 шт.
Mouser
На складе 405 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube
1 332,09 ₽ от 1 шт.
1 332,09 ₽ от 10 шт.
1 304,50 ₽ от 50 шт.
1 177,58 ₽ от 100 шт.
1 141,16 ₽ от 1000 шт.
1 141,16 ₽ от 10000 шт.
Newark
На складе 34 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
1 427,84 ₽ от 1 шт.
1 414,07 ₽ от 10 шт.
1 399,15 ₽ от 25 шт.
1 333,72 ₽ от 50 шт.
1 267,15 ₽ от 100 шт.
1 230,42 ₽ от 250 шт.
NAC Semi
На складе 450 шт.
MOQ 450 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
1 766,44 ₽ от 450 шт.
Hamilton Americas
На складе 491 шт.
Обновлено 21:48 15.02.2021
Цена по запросу.
Semi Source
На складе 234 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 416 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
element14 APAC
На складе 606 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
1 728,38 ₽ от 1 шт.
1 691,97 ₽ от 25 шт.
1 528,14 ₽ от 100 шт.
1 482,15 ₽ от 250 шт.
1 480,23 ₽ от 500 шт.
Ampacity Systems
На складе 628 шт.
Обновлено 00:56 16.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor HGTG40N60B3, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
70.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Obsolete
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube, Rail
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
290 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N=-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
  • IGBT, N 600V TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current:70A
  • Collector Emitter Voltage Vces:2V
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Current Ic Continuous a Max:70A
  • Package / Case:TO-247
  • Power Dissipation Max:290W
  • Power Dissipation Pd:290W
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:600V
  • The HGTG40N60B3 is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

Документы по ON Semiconductor HGTG40N60B3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц, 21.04.2020)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Лист материалов
(3 страницы, 07.12.2013)
Заявление о достижении
(3 страницы, 09.08.2014)

Товары похожие на ON Semiconductor HGTG40N60B3, сравнение характеристик.

Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 229,45 ₽ до 793,24 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP50B60PD1PBF
Цена от 441,62 ₽ до 4 710,88 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP50B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 390 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 10.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 263,65 ₽ до 3 456,51 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 220,37 ₽ до 3 163,82 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 252,73 ₽ до 3 735,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 164,49 ₽ до 3 275,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4D
Цена от 307,91 ₽ до 697,50 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,18 ₽ до 1 010,47 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,18 ₽ до 1 121,97 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.