STMicroelectronics
STGW20NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Цена от 133,75 ₽ до 2 843,25 ₽
Наличие STMicroelectronics STGW20NC60VD на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 112 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 60 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:05 16.02.2021
На складе 261 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 998 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:01 15.02.2021
На складе 189 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:37 16.02.2021
На складе 524 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:18 16.02.2021
На складе 522 шт.
MOQ 9 шт.
Обновлено 17:39 16.02.2021
На складе 675 шт.
MOQ 600 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 674 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:55 15.02.2021
Упаковка Tube На складе 3 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:47 16.02.2021
На складе 1200 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:27 16.02.2021
На складе 7 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 04:01 16.02.2021
На складе 510 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 9 шт.
Обновлено 11:25 16.02.2021
На складе 1049 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube На складе 177 шт.
Обновлено 17:03 12.02.2021
Цена по запросу.
На складе 675 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 624 шт.
Обновлено 00:37 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 400 шт.
Обновлено 18:59 16.02.2021
Цена по запросу.
На складе 6042 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 168 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:50 16.02.2021
Технические характеристики STMicroelectronics STGW20NC60VD, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
30.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
- STGW20NC60VD Series 600 V 30 A N-Channel Very Fast PowerMESH GBT - TO-247
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
- IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 30 Amp
- Transistor IGBT N-Ch 600V 60A TO247
- IGBTs 600V 60A TO-247(AC) RoHS
Документы по STMicroelectronics STGW20NC60VD, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics STGW20NC60VD, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W (max).
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.