Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

STMicroelectronics
STGW20NC60V

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Цена от 151,61 ₽ до 346,38 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STGW20NC60V на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Mouser
На складе 594 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:31 01.03.2021
Упаковка Tube
326,46 ₽ от 1 шт.
294,37 ₽ от 10 шт.
277,77 ₽ от 50 шт.
222,44 ₽ от 100 шт.
166,00 ₽ от 1000 шт.
151,61 ₽ от 10000 шт.
Verical
На складе 480 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 17:40 02.03.2021
243,24 ₽ от 3 шт.
Digi-Key
На складе 301 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 02.03.2021
Упаковка Tube
346,38 ₽ от 1 шт.
291,05 ₽ от 10 шт.
274,67 ₽ от 25 шт.
246,78 ₽ от 100 шт.
Arrow Electronics
На складе 480 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:25 02.03.2021
252,97 ₽ от 1 шт.
Corohmni
На складе 125 шт.
Обновлено 16:42 28.02.2021
Цена по запросу.
Kenton Components
На складе 75 шт.
Обновлено 01:05 01.03.2021
Цена по запросу.
Arrow.cn
На складе 480 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:48 02.03.2021
279,90 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики STMicroelectronics STGW20NC60V, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Текущий рейтинг:
30.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
200 W (max)
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • STGW20NC60V Series 600 V 30 A Flange Mount Very Fast IGBT - TO-247
  • IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N-Ch 600 Volt 30 Amp

Документы по STMicroelectronics STGW20NC60V, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(16 страниц, 14.05.2008)

Товары похожие на STMicroelectronics STGW20NC60V, сравнение характеристик.

STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 123,70 ₽ до 2 828,70 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP7N60A4
Цена от 112,88 ₽ до 1 213,29 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Recommended for New Designs.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 125 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGP20NC60V
Цена от 138,33 ₽ до 2 121,52 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60VD
Цена от 213,80 ₽ до 467,00 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor HGTG7N60A4D
Цена от 146,74 ₽ до 350,07 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP3N60A4
Цена от 106,27 ₽ до 157,55 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 17.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 70.0 W (max).
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTP3N60A4D
Цена от 131,19 ₽ до 241,52 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 17.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 70.0 W (max).
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Fairchild Semiconductor HGTG7N60A4
Цена от до
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 34.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Рассеяние мощности 125 W.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.