Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  БТИЗ

STMicroelectronics
STGW30NC60VD

Very Fast 600 V 80 A 250 W Flange Mount PowerMESH IGBT - TO-247LL

Цена от 213,99 ₽ до 467,41 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STGW30NC60VD на складах.

Дистрибьютор
Наличие и цена
Mouser
На складе 149 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tube
440,83 ₽ от 1 шт.
374,37 ₽ от 10 шт.
374,37 ₽ от 50 шт.
300,16 ₽ от 100 шт.
224,85 ₽ от 1000 шт.
224,85 ₽ от 10000 шт.
Digi-Key
На складе 540 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 16.02.2021
Упаковка Tube
467,41 ₽ от 1 шт.
392,65 ₽ от 10 шт.
370,56 ₽ от 25 шт.
332,95 ₽ от 100 шт.
NAC Semi
На складе 660 шт.
MOQ 60 шт.
Обновлено 18:23 17.02.2021
398,56 ₽ от 60 шт.
370,92 ₽ от 660 шт.
Corohmni
На складе 60 шт.
Обновлено 22:46 09.02.2021
Цена по запросу.
Classic Components
На складе 762 шт.
Обновлено 00:29 17.02.2021
Цена по запросу.
Avnet Europe
На складе 810 шт.
MOQ 30 шт.
Обновлено 07:25 17.02.2021
388,81 ₽ от 30 шт.
388,36 ₽ от 60 шт.
311,94 ₽ от 120 шт.
311,54 ₽ от 180 шт.
311,12 ₽ от 240 шт.
310,68 ₽ от 300 шт.
237,83 ₽ от 3000 шт.
Kenton Components
На складе 500 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
Win Source Electronics
На складе 3040 шт.
MOQ 21 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
317,04 ₽ от 21 шт.
261,63 ₽ от 50 шт.
253,61 ₽ от 80 шт.
245,71 ₽ от 105 шт.
237,81 ₽ от 135 шт.
213,99 ₽ от 180 шт.
GreenTree Electronics
На складе 2999 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STGW30NC60VD, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Тип корпуса / Кейс:
TO-247
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Упаковка:
Tube
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
250 W
Время нарастания:
11.0 ns
RoHS:
Compliant
  • Very Fast 600 V 80 A 250 W Flange Mount PowerMESH IGBT - TO-247LL
  • Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin (3 + Tab) TO-247 Tube
  • 40 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode
  • IGBT, N 600V 40A TO-247
  • Тип транзистора: IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение, В: 600 В
  • Current Ic Continuous a Max:40A
  • Voltage, Vce Sat Max:2.5V
  • Power Dissipation:250W
  • Case Style:TO-247
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Current, Icm Pulsed:100A
  • Power, Pd:250W
  • Time, Rise:11ns

Документы по STMicroelectronics STGW30NC60VD, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(13 страниц, 18.03.2011)

Товары похожие на STMicroelectronics STGW30NC60VD, сравнение характеристик.

ON Semiconductor HGTG20N60A4
Цена от 221,17 ₽ до 3 153,52 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 45.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube, Rail.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 290 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60A4
Цена от 264,73 ₽ до 3 445,26 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 75.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 463 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
ON Semiconductor HGTG30N60B3
Цена от 306,81 ₽ до 3 723,10 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Rail.
Количество выводов 3.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 208 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP20B60PDPBF
Цена от 230,27 ₽ до 796,10 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP20B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 220 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW39NC60VD
Цена от 165,08 ₽ до 3 264,66 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Gate Charge 126 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 250 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW20NC60VD
Цена от 131,98 ₽ до 2 834,00 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 30.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 11.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF10NC60KD
Цена от 56,38 ₽ до 1 007,18 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGF14NC60KD
Цена от 53,37 ₽ до 1 118,32 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 11.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 28.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Infineon IRGP35B60PDPBF
Цена от 354,88 ₽ до 1 016,28 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Part Family IRGP35B60PD.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 308 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGW30NC60WD
Цена от 157,58 ₽ до 567,80 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-247.
Текущий рейтинг 60.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 200 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
STMicroelectronics STGE200NB60S
Цена от 2 017,14 ₽ до 17 406,89 ₽
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 150 A.
Continuous Drain Current (Ids) 200 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole, Screw.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 4.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 600 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 112 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 600 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.