STMicroelectronics
STGB6NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Цена от 47,21 ₽ до 150,66 ₽
Наличие STMicroelectronics STGB6NC60HDT4 на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 2000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
На складе 1751 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:27 17.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 695 шт.
MOQ 13 шт.
Обновлено 17:51 17.02.2021
На складе 695 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:30 17.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 60000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:51 17.02.2021
На складе 55000 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 03:05 17.02.2021
На складе 1000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
На складе 2330 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:17 17.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 106013 шт.
Обновлено 19:17 05.02.2021
Цена по запросу.
На складе 39 шт.
Обновлено 00:10 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 695 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:49 17.02.2021
На складе 5000 шт.
MOQ 70 шт.
Обновлено 09:24 07.02.2021
На складе 500 шт.
Обновлено 03:35 08.02.2021
Цена по запросу.
На складе 18000 шт.
Обновлено 15:57 26.01.2021
Цена по запросу.
На складе 930 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 08:12 18.02.2021
Технические характеристики STMicroelectronics STGB6NC60HDT4, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
600 V
Текущий рейтинг:
15.0 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
80.0 W (max)
Время нарастания:
5.00 ns
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
600 V
- Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- STGB6NC60HD Series 600 V 15 A N-Channel Very Fast PowerMESH IGBT - D2PAK
- IGBT, SMD, 600V, 7A, D2-PAK
- Transistor Type:PowerMESH
- Полярность транзистора: N
- Напряжение, В: 600 В
- Current Ic Continuous a Max:15A
- Voltage, Vce Sat Max:2.5V
- Power Dissipation:56W
- Case Style:D2-PAK
- Тип завершения: SMD
- Current, Icm Pulsed:21A
- Количество контактов: 3
- Time, Fall:76ns
- Time, Rise:5ns
Документы по STMicroelectronics STGB6NC60HDT4, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на STMicroelectronics STGB6NC60HDT4, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Тип корпуса / Кейс TO-220.
Текущий рейтинг 15.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 56.0 W (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 5.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 6.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 20.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 5.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 600 V.
Текущий рейтинг 40.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Bag.
Part Family IRGB20B60PD1.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 215 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 5.00 ns.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 600 V.