Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF7807VTRPBF

Мосфет, мощность; Н-ч; Vdss 30V; Rds (on) 17 Миллиом; Id 8.3A; SO-8; Pd 2,5 Вт; Vgs +/- 20 В

Цена от 31,10 ₽ до 607,40 ₽
Datasheet

Наличие Infineon IRF7807VTRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 6
В наличии до 4000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 31,10 ₽ до 94,42 ₽
США
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
94,42 ₽ от 1 шт.
77,31 ₽ от 10 шт.
77,31 ₽ от 50 шт.
54,10 ₽ от 100 шт.
39,99 ₽ от 1000 шт.
31,10 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3100 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
34,90 ₽ от 1 шт.
34,19 ₽ от 25 шт.
33,50 ₽ от 100 шт.
32,80 ₽ от 500 шт.
32,10 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 3100 шт.
MOQ 1115 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
37,73 ₽ от 1115 шт.
36,81 ₽ от 1200 шт.
36,29 ₽ от 2300 шт.
35,25 ₽ от 5600 шт.
34,48 ₽ от 12000 шт.
США
На складе 4000 шт.
Обновлено 11:48 04.02.2021
37,90 ₽ от 1087 шт.
36,22 ₽ от 1100 шт.
35,34 ₽ от 2200 шт.
США
На складе 60 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape
93,31 ₽ от 1 шт.
80,98 ₽ от 10 шт.
77,27 ₽ от 25 шт.
США
На складе 1461 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 1295 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 189,38 ₽ до 607,40 ₽
Британия
На складе 1295 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
607,40 ₽ от 1 шт.
434,86 ₽ от 10 шт.
304,40 ₽ от 100 шт.
246,89 ₽ от 500 шт.
189,38 ₽ от 1000 шт.
Азия 3
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 101,49 ₽ до 107,29 ₽
Сингапур
На складе 1205 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
107,29 ₽ от 5 шт.
101,49 ₽ от 25 шт.
Малайзия
На складе 519 шт.
Обновлено 00:57 23.02.2021
Цена по запросу.
Китай
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Океания 1
В наличии до 300 шт.
MOQ от 100 шт.
Австралия
На складе 300 шт.
Обновлено 00:56 23.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRF7807VTRPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
8.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7807V
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Время нарастания:
1.20 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • МОП-транзистор, мощность
  • N-Ch
  • VDSS 30В
  • RDS (ВКЛ) 17 Миллиом
  • ID 8.3A
  • SO-8
  • PD 2,5 Вт
  • ВГС +/- 20В
  • Один N-канал 30 В, 25 мОм, 9,5 нКл. HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
  • Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-контактный SOIC T / R
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Постоянный ток утечки, Id: 8,3 А
  • Сопротивление, Rds (вкл.): 25 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
  • Совместимость с ведущим процессом: Да Соответствие RoHS: Да

Документы по Infineon IRF7807VTRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 03.11.2004)
Заявление о конфликтных минералах
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)

Товары похожие на Infineon IRF7807VTRPBF, сравнение характеристик.

International Rectifier IRF7807VPBF
Цена от 32,90 ₽ до 38,68 ₽
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF7807V.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
International Rectifier IRF7807VD2TRPBF
Цена от 58,70 ₽ до 76,95 ₽
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Part Family IRF7807VD2.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Infineon IRF7807VD2PBF
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF7807VD2.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
International Rectifier IRF7807VD1PBF
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Bulk.
Part Family IRF7807VD1.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
International Rectifier IRF7807VD1TRPBF
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Part Family IRF7807VD1.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.