Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

International Rectifier
IRF7807VD1PBF

30V FETKY - MOSFET и диод Шоттки в корпусе SO-8
Datasheet

Наличие International Rectifier IRF7807VD1PBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 14800 шт.
MOQ от 100 шт.
Гонконг
На складе 14800 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики International Rectifier IRF7807VD1PBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
8.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF7807VD1
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Время нарастания:
1.20 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
  • 30V FETKY - MOSFET и диод Шоттки в корпусе SO-8
  • Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-контактный SOIC T / R
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Постоянный ток утечки, Id: 8,3 А
  • Сопротивление, Rds (вкл.): 25 МОм
  • Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
  • Package/Case:SO-8
  • Соответствует RoHS: Да
  • MOSFET, N, FETKY, SO-8
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: N
  • Напряжение, Vds Тип: 30 В
  • Ток, Id Cont: 8,3 А
  • On State Resistance:0.017ohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 4,5В
  • Напряжение, Vgs th Тип: 3В
  • Case Style:SOIC
  • Тип завершения: SMD
  • Текущая температура: 25 ° C
  • Current, Id Max:66A
  • Ток, постоянный импульс: 66A
  • Current, If AV:3.5A
  • Температура при полной мощности: 25 ° C
  • Количество транзисторов: 1
  • Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
  • Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
  • SMD Marking:807VD1
  • Напряжение, Vds Max: 30 В
  • Voltage, Vf Max:0.54V
  • Voltage, Vgs th Max:2V
  • Voltage, Vgs th Min:0.5V
  • Тип корпуса транзистора: SOIC

Документы по International Rectifier IRF7807VD1PBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(9 страниц, 03.11.2004)
Заявление Rohs
(1 страница, 24.01.2014)
Заявление о достижении
(6 страниц, 04.02.2014)
Заявление о конфликтных минералах

Товары похожие на International Rectifier IRF7807VD1PBF, сравнение характеристик.

Infineon IRF7341TRPBF
Цена от 22,88 ₽ до 157,56 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRF7495TRPBF
Цена от 30,04 ₽ до 876,74 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 7.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7495.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Infineon IRF7317TRPBF
Цена от 26,57 ₽ до 683,18 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Infineon IRF7309TRPBF
Цена от 17,33 ₽ до 537,27 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7309.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Infineon IRF7821TRPBF
Цена от 36,75 ₽ до 676,14 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.6 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.6 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7821.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 2.70 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Infineon IRF7343TRPBF
Цена от 32,60 ₽ до 748,43 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Infineon IRF7832TRPBF
Цена от 32,06 ₽ до 939,86 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7832.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.3 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Infineon IRF7842TRPBF
Цена от 52,93 ₽ до 1 073,13 ₽
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Выходной ток 2.50 A (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7842.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Infineon IRF7413ZTRPBF
Цена от 24,77 ₽ до 506,40 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7413Z.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.30 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Infineon IRF7493TRPBF
Цена от 38,63 ₽ до 904,79 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 80.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 9.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 9.30 A, 9.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7493.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 80.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 80.0 V.
Infineon IRF7465TRPBF
Цена от 28,88 ₽ до 523,24 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 150 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 1.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7465.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 150 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 150 V.