Наличие Infineon IRF7807VD2PBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 760 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 760 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики Infineon IRF7807VD2PBF, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
8.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF7807VD2
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Время нарастания:
1.20 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- MOSFET COPACK WITH SCHOTTKY, 30V, 8.3A, 25 MOHM, 9.5 NC QG, SO-8
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Постоянный ток утечки, Id: 8,3 А
- Сопротивление, Rds (вкл.): 25 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
- Package/Case:SO-8
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, N, FETKY, SO-8
- Transistor Polarity:N Channel
- Continuous Drain Current Id:8.3A
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 17 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
- Пороговое напряжение Vgs Тип: 1 В
- Тип корпуса транзистора: SOIC
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (15 декабря 2010 г.)
- Current Id Max:66A
- Текущая температура: 25 ° C
- Forward Current If(AV):3.7A
- Forward Voltage VF Max:0.54V
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Количество транзисторов: 1
- Упаковка / ящик: SOIC
- Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
- Pulse Current Idm:66A
- SMD Marking:807VD2
- Тип завершения: SMD
- Transistor Type:
- Напряжение Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max:1V
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 4,5 В
- Voltage Vgs th Max:1.2V
- Напряжение Vgs th Min: 1 В
Документы по Infineon IRF7807VD2PBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Infineon IRF7807VD2PBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 7.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7495.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7309.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.6 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.6 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7821.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 2.70 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7832.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.3 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Выходной ток 2.50 A (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7842.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7413Z.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.30 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 80.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 9.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 9.30 A, 9.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7493.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 80.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 80.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 150 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 1.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7465.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 150 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 150 V.