International Rectifier
IRF7807VD1PBF
30V FETKY - MOSFET и диод Шоттки в корпусе SO-8
Наличие International Rectifier IRF7807VD1PBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 14800 шт.
MOQ от 100 шт.
На складе 14800 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики International Rectifier IRF7807VD1PBF, атрибуты и параметры.
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.30 A
Continuous Drain Current (Ids):
8.30 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Bulk
Part Family:
IRF7807VD1
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
Время нарастания:
1.20 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- 30V FETKY - MOSFET и диод Шоттки в корпусе SO-8
- Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-контактный SOIC T / R
- МОП-транзистор
- Тип транзистора: MOSFET
- Transistor Polarity:N Channel
- Напряжение истока стока, Vds: 30V
- Постоянный ток утечки, Id: 8,3 А
- Сопротивление, Rds (вкл.): 25 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение, Vgs: 4,5 В
- Package/Case:SO-8
- Соответствует RoHS: Да
- MOSFET, N, FETKY, SO-8
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность транзистора: N
- Напряжение, Vds Тип: 30 В
- Ток, Id Cont: 8,3 А
- On State Resistance:0.017ohm
- Напряжение, ВГС при измерении: 4,5В
- Напряжение, Vgs th Тип: 3В
- Case Style:SOIC
- Тип завершения: SMD
- Текущая температура: 25 ° C
- Current, Id Max:66A
- Ток, постоянный импульс: 66A
- Current, If AV:3.5A
- Температура при полной мощности: 25 ° C
- Количество транзисторов: 1
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Рассеиваемая мощность Pd: 2,5 Вт
- SMD Marking:807VD1
- Напряжение, Vds Max: 30 В
- Voltage, Vf Max:0.54V
- Voltage, Vgs th Max:2V
- Voltage, Vgs th Min:0.5V
- Тип корпуса транзистора: SOIC
Документы по International Rectifier IRF7807VD1PBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на International Rectifier IRF7807VD1PBF, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7341.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 50.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 3.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 100 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 7.30 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7495.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 13.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 100 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 100 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -3.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7309.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.6 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.6 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7821.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 2.70 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 55.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 4.70 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.70 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7343.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 55.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 55.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 20.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 20.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 155 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7832.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.3 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 18.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 18.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Выходной ток 2.50 A (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7842.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 4.00 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 40.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 13.0 A.
Continuous Drain Current (Ids) 13.0 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Obsolete.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7413Z.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.30 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 80.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 9.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 9.30 A, 9.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7493.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.50 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 80.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 80.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 150 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 1.90 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7465.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 1.20 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 150 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 150 V.