Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

ON Semiconductor
NTHC5513T1G

NTHC5513T1G Dual N/P-channel MOSFET Transistor; 3 A; 3.9 A; 20 V; 8-Pin ChipFET

Цена от 21,88 ₽ до 72,20 ₽
Datasheet

Наличие ON Semiconductor NTHC5513T1G на складах.

Склад
Наличие и цена
Европа 1
В наличии до 2425 шт.
MOQ от 25 шт.
Цена 68,27 ₽
Британия
На складе 2425 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
68,27 ₽ от 25 шт.
Америка 5
В наличии до 5990 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 21,88 ₽ до 72,20 ₽
США
На складе 1650 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel
65,54 ₽ от 1 шт.
54,54 ₽ от 10 шт.
54,54 ₽ от 50 шт.
38,21 ₽ от 100 шт.
28,21 ₽ от 1000 шт.
21,88 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 14:10 23.02.2021
Упаковка Tape & Reel
27,56 ₽ от 3000 шт.
26,11 ₽ от 6000 шт.
США
На складе 3000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:10 23.02.2021
Упаковка Cut Tape
72,20 ₽ от 1 шт.
62,87 ₽ от 10 шт.
59,98 ₽ от 25 шт.
43,52 ₽ от 100 шт.
36,36 ₽ от 500 шт.
30,95 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 5990 шт.
Обновлено 13:36 05.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 34 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики ON Semiconductor NTHC5513T1G, атрибуты и параметры.

Breakdown Voltage [Gate to Source]:
-12.0 V to 12.0 V
Текущий рейтинг:
3.10 A
Continuous Drain Current (Ids):
3.90 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
1.10 W (max)
Drain to Source Resistance (on) (Rds):
80.0 mΩ, 200 mΩ
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
Время нарастания:
13.0 ns
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
20.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
20.0 V
  • NTHC5513T1G Dual N/P-channel MOSFET Transistor
  • 3 А
  • 3.9 A
  • 20 В
  • 8-Pin ChipFET
  • NTHC5513: Power MOSFET 20V 3.9A 80 mOhm Dual Complementary ChipFET
  • N/P Channel 20 V 0.08 / 0.155 Ohm Complementary Power Mosfet - ChipFET-8
  • Dual N/p Channel Mosfet, 20V, 1206A
  • Полярность транзистора: дополнительный канал N и P
  • Напряжение источника стока Vds: 20 В
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 3,9 А
  • On Resistance Rds(On):0.058Ohm
  • Монтаж транзистора: поверхностный монтаж Соответствует Rohs: Да

Документы по ON Semiconductor NTHC5513T1G, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(10 страниц)
Заявление Rohs
(3 страницы, 04.02.2021)
Заявление о достижении
(8 страниц, 14.01.2015)

Товары похожие на ON Semiconductor NTHC5513T1G, сравнение характеристик.

Infineon IRF7317TRPBF
Цена от 26,57 ₽ до 683,18 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 6.60 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7317.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 62.5 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Infineon IRF7307TRPBF
Цена от 23,10 ₽ до 551,29 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 5.20 A.
Continuous Drain Current (Ids) 5.70 A, 5.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7307.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Thermal Resistance 90.0 K/W.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 20.0 V.
ON Semiconductor NTJS4151PT1G
Цена от 6,90 ₽ до 315,63 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -3.30 A.
Continuous Drain Current (Ids) 4.20 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.00 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 180 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Vishay SI3443CDV-T1-GE3
Цена от 8,55 ₽ до 286,17 ₽
Continuous Drain Current (Ids) -4.70 A, 3.90 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 3.20 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V, -20.0 V.
Infineon IRF7507TRPBF
Цена от 19,91 ₽ до 402,60 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 2.40 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Roll, Reel.
Part Family IRF7507.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 1.25 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 270 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
ON Semiconductor FDC6420C
Цена от 13,63 ₽ до 318,43 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V to 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг 3.00 A.
Gate Charge 3.70 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 3.00 A, 2.20 A.
Входная емкость 337 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 70.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 12.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
ON Semiconductor FDG6306P
Цена от 10,91 ₽ до 245,49 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Текущий рейтинг -600 mA.
Gate Charge 1.40 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 600 mA.
Входная емкость 114 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 420 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 14.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDS9934C
Цена от 33,05 ₽ до 108,56 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V to 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -10.0 V to 10.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -5.00 A.
Gate Charge 8.70 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 6.50 A.
Входная емкость 955 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 25.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Infineon BSV236SPH6327XTSA1
Цена от 7,29 ₽ до 172,54 ₽
Тип корпуса / Кейс SOT-363.
Текущий рейтинг -1.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 1.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 560 mW (max).
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 8.50 ns.
RoHS Compliant.
Size-Length 2.00 mm.
Size-Width 1.25 mm.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDC642P
Цена от 10,11 ₽ до 343,68 ₽
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг -4.00 A.
Gate Charge 7.20 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 4.00 A.
Входная емкость 640 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 65.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 19.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
ON Semiconductor FDC6327C
Цена от 12,01 ₽ до 325,45 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V to 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -8.00 V to 8.00 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг -1.90 A.
Gate Charge 2.85 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 2.70 A, 1.90 A.
Входная емкость 315 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel, N-Channel, Dual P-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 960 mW.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 69.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 14.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.