NXP Semiconductors
MC9S08QG4CDTE
MCU 8-bit S08 HC08 CISC 4KB Flash 2.5V/3.3V 16-Pin TSSOP Rail
Цена от 104,12 ₽ до 712,81 ₽
Наличие NXP Semiconductors MC9S08QG4CDTE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 98 шт.
Обновлено 18:07 23.12.2020
На складе 327 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:47 27.12.2020
На складе 582 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tube На складе 473 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 27.12.2020
Упаковка Tube На складе 1953 шт.
Обновлено 09:49 26.12.2020
На складе 327 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:31 27.12.2020
На складе 51 шт.
Обновлено 11:28 25.12.2020
На складе 83 шт.
Обновлено 17:02 05.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2144 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 4312 шт.
Обновлено 18:54 23.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2981 шт.
MOQ 96 шт.
Обновлено 07:20 13.12.2020
На складе 177 шт.
Обновлено 14:47 07.12.2020
Цена по запросу.
На складе 2224 шт.
MOQ 35 шт.
Обновлено 03:40 28.12.2020
На складе 327 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:44 27.12.2020
На складе 48 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:34 27.12.2020
На складе 64 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:02 15.12.2020
На складе 3399 шт.
Обновлено 02:12 17.12.2020
Технические характеристики NXP Semiconductors MC9S08QG4CDTE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
10.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
TSSOP
Clock Speed:
10.0 MHz, 20.0 MHz
Основная архитектура:
HCS08
FLASH Memory Size:
4096 B
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество бит:
8
Number of I/O Pins:
12
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
16
RAM Memory Size:
256 B
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
1.80 V (min), 3.60 V (max)
- MCU 8-bit S08 HC08 CISC 4KB Flash 2.5V/3.3V 16-Pin TSSOP Rail
- Product Range:s08 Microcontrollers
- Скорость процессора: 20 МГц
- Program Memory Size:4Kb
- Размер оперативной памяти: 256 байт
- Количество контактов: 16 контактов
- Mcu Case Style:tssop
- No. Of I/o S:14I/o S
- Embedded Interface Type:i2C, Sci, Spi
- Supply Voltage Min:1.8V Rohs Compliant: Yes
- 8BIT MCU 4K FLASH, 9S08, TSSOP16
- Семейство / серия контроллеров: HCS08
- Размер ядра: 8 бит
- No. of I/O's:14
- Program Memory Size:4 KB
- RAM Memory Size:256Byte
- CPU Speed:20MHz
- Oscillator Type:External, Internal
- Количество таймеров: 2
- Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer
- Тип встроенного интерфейса: I2C, SCI, SPI
- No. of PWM Channels:2
- Стиль корпуса цифровой ИС: TSSOP
- Диапазон напряжения питания: от 1,8 до 3,6 В
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 85 ° C
- Количество контактов: 16
- MSL: MSL 3 - 168 часов
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
- Clock Frequency:10MHz
- Flash Memory Size:4KB
- IC Generic Number:9S08
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface Type:I2C, SCI, SPI
- Logic Function Number:08
- Memory Size:4
- Memory Type:FLASH
- Microprocessor/Controller Features:I²C, SCI, SPI, COP, POR, MTIM, Comparator
- Количество входов АЦП: 8
- No. of Bits:8
- No. of External Interrupts:8
- No. of I/O's:12
- Number of bits In Timer:16
- Number of bits in ADC:10
- Максимальная рабочая температура: 85 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Упаковка / коробка: TSSOP
Документы по NXP Semiconductors MC9S08QG4CDTE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC9S08QG4CDTE, сравнение характеристик.
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).