NXP Semiconductors
MC9S08QG8CPBE
MCU 8-bit S08 S08 CISC 8KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 16-Pin PDIP Rail
Цена от 293,66 ₽ до 733,53 ₽
Наличие NXP Semiconductors MC9S08QG8CPBE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 56 шт.
Обновлено 11:16 27.01.2021
На складе 14 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 02:47 27.01.2021
Цена по запросу.
На складе 14 шт.
MOQ 25 шт.
Обновлено 03:03 27.01.2021
Цена по запросу.
На складе 55 шт.
Обновлено 20:51 26.01.2021
Цена по запросу.
На складе 71 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:42 21.01.2021
На складе 1500 шт.
Обновлено 07:02 18.01.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики NXP Semiconductors MC9S08QG8CPBE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
10.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
DIP
Clock Speed:
10.0 MHz, 20.0 MHz
Основная архитектура:
HCS08
FLASH Memory Size:
8192 B
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Through Hole
Количество бит:
8
Number of I/O Pins:
12
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
16
RAM Memory Size:
512 B
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
1.80 V (min), 3.60 V (max)
- MCU 8-bit S08 S08 CISC 8KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 16-Pin PDIP Rail
- S08Qg 8-Bit Mcu, S08 Core, 8Kb Flash, 20Mhz, Dip 16 Rohs Compliant: Yes
- 8BIT MCU 8K FLASH, SMD, 9S08, DIP16
- Семейство / серия контроллеров: HCS08
- Размер ядра: 8 бит
- No. of I/O's:14
- Program Memory Size:8 KB
- RAM Memory Size:512Byte
- CPU Speed:20MHz
- Oscillator Type:External, Internal
- Количество таймеров: 2
- Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer
- Тип встроенного интерфейса: I2C, SCI, SPI
- No. of PWM Channels:2
- Стиль корпуса цифровой ИС: DIP
- Диапазон напряжения питания: от 1,8 до 3,6 В
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 85 ° C
- Количество контактов: 16
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
- Clock Frequency:10MHz
- Flash Memory Size:8KB
- IC Generic Number:9S08
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface Type:I2C, SCI, SPI
- Logic Function Number:08
- Memory Size:8
- Memory Type:FLASH
- Microprocessor/Controller Features:I²C, SCI, SPI, COP, POR, MTIM, Comparator
- Количество входов АЦП: 8
- No. of Bits:8
- No. of External Interrupts:8
- No. of I/O's:12
- Number of bits In Timer:16
- Number of bits in ADC:10
- Максимальная рабочая температура: 85 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Упаковка / корпус: DIP
- Program Memory Size:8KB
Документы по NXP Semiconductors MC9S08QG8CPBE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC9S08QG8CPBE, сравнение характеристик.
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).