ON Semiconductor
FFB2222A
FEB2222 Series 40 V CE Breakdown 0.5 A NPN General Purpose Amplifier - SC-70-6
Цена от 7,67 ₽ до 103,58 ₽
Наличие ON Semiconductor FFB2222A на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 591097 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 7,67 ₽ до 103,58 ₽
На складе 591097 шт.
MOQ 4579 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 8 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:25 03.03.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 585097 шт.
Обновлено 09:57 03.03.2021
На складе 175 шт.
MOQ 88 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 175 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
Упаковка Cut Tape На складе 1760 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
На складе 536 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 51000 шт.
MOQ 3000 шт.
Обновлено 17:24 01.03.2021
Цена по запросу.
На складе 2310 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
В наличии до 175 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 22,13 ₽ до 43,37 ₽
На складе 175 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:37 03.03.2021
Технические характеристики ON Semiconductor FFB2222A, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter]:
40.0 V
Текущий рейтинг:
500 mA
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Tape
Количество выводов:
6
Полярность:
NPN, N-Channel
Рассеяние мощности:
300 mW
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Номинальное напряжение (постоянный ток):
40.0 V
- FEB2222 Series 40 V CE Breakdown 0.5 A NPN General Purpose Amplifier - SC-70-6
- Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
- This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19.
- Биполярный транзистор
- Полярность транзистора: Dual NPN
- Power Dissipation, Pd:0.3W
- DC Current Gain Min (hfe):35
- Упаковка / ящик: 6-SC-70
- C-E Breakdown Voltage:40V
- DC Collector Current:500A
- Leaded Process Compatible:Yes
- Соответствует RoHS: Да
Документы по ON Semiconductor FFB2222A, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FFB2222A, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 40.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 200 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tube, Tape.
Количество выводов 16.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.
Breakdown Voltage [Collector to Emitter] 40.0 V.
Текущий рейтинг 200 mA.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Tape.
Количество выводов 6.
Полярность NPN, N-Channel.
Рассеяние мощности 300 mW.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 40.0 V.