NXP Semiconductors
MC9S08QG4CDNE
MCU 8-bit S08 S08 CISC 4KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Rail
Цена от 132,68 ₽ до 579,55 ₽
Наличие NXP Semiconductors MC9S08QG4CDNE на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 1133 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:47 27.12.2020
На складе 1133 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 17:31 27.12.2020
На складе 583 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 18:54 25.12.2020
Упаковка Tube На складе 1237 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:16 27.12.2020
Упаковка Tube На складе 1080 шт.
Обновлено 10:05 28.12.2020
На складе 78 шт.
Обновлено 11:13 28.12.2020
На складе 2 шт.
Обновлено 02:15 20.12.2020
Цена по запросу.
На складе 10878 шт.
Обновлено 21:01 23.12.2020
Цена по запросу.
На складе 75 шт.
Обновлено 19:52 22.12.2020
Цена по запросу.
На складе 1133 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:44 27.12.2020
На складе 98 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 22:02 15.12.2020
На складе 150 шт.
Обновлено 16:26 29.11.2020
Цена по запросу.
На складе 53 шт.
Обновлено 14:47 07.12.2020
Цена по запросу.
Технические характеристики NXP Semiconductors MC9S08QG4CDNE, атрибуты и параметры.
Время доступа:
10.0 µs
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Clock Speed:
10.0 MHz, 20.0 MHz
Основная архитектура:
HCS08
FLASH Memory Size:
4096 B
Halogen Free Status:
Halogen Free
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество бит:
8
Number of I/O Pins:
4
Рабочая Температура:
-40.0 °C to 85.0 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
RAM Memory Size:
256 B
RoHS:
Compliant
Supply Voltage (DC):
3.60 V (max), 3.30 V
- MCU 8-bit S08 S08 CISC 4KB Flash 2.5V/3.3V Automotive 8-Pin SOIC N Rail
- S08QG 8-bit MCU, S08 core, 4KB Flash, 20MHz, SOIC 8
- 8-битный микроконтроллер IC
- Семейство / серия контроллеров: HCS08
- Memory Size, RAM:256Byte
- No. of I/O Pins:6
- Количество входов АЦП: 8
- Количество таймеров: 2
- Clock Speed:10MHz
- Interface:I2C
- Напряжение питания Мин .: 1,8 В
- Supply Voltage Max:3.6V
- Соответствует RoHS: Да
- IC, 8BIT MCU 4K FLASH, 9S08, NSOIC8
- Семейство / серия контроллеров: HCS08
- Размер ядра: 8 бит
- No. of I/O's:6
- Program Memory Size:4 KB
- RAM Memory Size:256Byte
- CPU Speed:20MHz
- Oscillator Type:External, Internal
- Количество таймеров: 2
- Peripherals:ADC, Comparator, PWM, Timer
- Embedded Interface Type:SCI, SPI
- No. of PWM Channels:2
- Digital IC Case Style:NSOIC
- Диапазон напряжения питания: от 1,8 до 3,6 В
- Диапазон рабочих температур: от -40 ° C до + 85 ° C
- Количество контактов: 8
- MSL: MSL 3 - 168 часов
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2012 г.)
- Clock Frequency:10MHz
- Flash Memory Size:4KB
- IC Generic Number:9S08
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface:I2C, SCI, SPI
- Interface Type:I2C, SCI, SPI
- Logic Function Number:08
- Memory Size:4
- Memory Type:FLASH
- Microprocessor/Controller Features:I²C, SCI, SPI, COP, POR, MTIM, Comparator
- No. of ADC Inputs:4
- No. of Bits:8
- No. of External Interrupts:4
- No. of I/O's:4
- Number of bits In Timer:16
- Number of bits in ADC:10
- Максимальная рабочая температура: 85 ° C
- Минимальная рабочая температура: -40 ° C
- Упаковка / ящик: NSOIC
Документы по NXP Semiconductors MC9S08QG4CDNE, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на NXP Semiconductors MC9S08QG4CDNE, сравнение характеристик.
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс QFN.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 3.60 V (max), 1.80 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс TSSOP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4096 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Surface Mount.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 8.00 MHz, 16.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 4000 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Размер памяти 4000 B.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 4.
Рабочая Температура -40.0 °C to 105 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RAM Memory Size 256 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 5.50 V (max), 2.70 V (min).
Время доступа 10.0 µs.
Тип корпуса / Кейс DIP.
Clock Speed 10.0 MHz, 20.0 MHz.
Основная архитектура HCS08.
FLASH Memory Size 8192 B.
Halogen Free Status Halogen Free.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Количество бит 8.
Number of I/O Pins 12.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 16.
RAM Memory Size 512 B.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Supply Voltage (DC) 1.80 V (min), 3.60 V (max).