Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Infineon
IRF7379TRPBF

Серия IRF7379, 30 В, 0,045 Ом, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N- и P-каналом - SOIC-8

Цена от 30,36 ₽ до 600,74 ₽

Наличие Infineon IRF7379TRPBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 4
В наличии до 20328 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 30,36 ₽ до 98,07 ₽
США
На складе 4000 шт.
MOQ 1079 шт.
Обновлено 03:51 26.01.2021
39,37 ₽ от 1079 шт.
38,03 ₽ от 1100 шт.
36,94 ₽ от 2200 шт.
36,13 ₽ от 5400 шт.
34,77 ₽ от 11000 шт.
33,89 ₽ от 54000 шт.
33,00 ₽ от 110000 шт.
32,12 ₽ от 540000 шт.
31,24 ₽ от 1100000 шт.
30,36 ₽ от 5400000 шт.
США
На складе 903 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:16 25.01.2021
Упаковка Tape & Reel
98,07 ₽ от 1 шт.
81,05 ₽ от 10 шт.
81,05 ₽ от 50 шт.
56,70 ₽ от 100 шт.
41,82 ₽ от 1000 шт.
32,58 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 4000 шт.
Обновлено 09:58 26.01.2021
36,56 ₽ от 1 шт.
35,83 ₽ от 25 шт.
35,10 ₽ от 100 шт.
34,37 ₽ от 500 шт.
33,63 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 20328 шт.
Обновлено 18:59 26.01.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 70 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 476,89 ₽ до 600,74 ₽
Британия
На складе 70 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 03:23 26.01.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
600,74 ₽ от 1 шт.
476,89 ₽ от 10 шт.
Азия 3
В наличии до 8000 шт.
MOQ от 5 шт.
Цена от 41,07 ₽ до 104,62 ₽
Китай
На складе 8000 шт.
MOQ 4000 шт.
Обновлено 16:51 26.01.2021
41,07 ₽ от 4000 шт.
41,07 ₽ от 10000 шт.
Сингапур
На складе 70 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 14:49 26.01.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.)
104,62 ₽ от 5 шт.
73,43 ₽ от 100 шт.
54,17 ₽ от 1000 шт.
45,66 ₽ от 4000 шт.
42,83 ₽ от 8000 шт.
Китай
На складе 150 шт.
Обновлено 15:59 12.01.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Infineon IRF7379TRPBF, атрибуты и параметры.

Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
5.80 A
Continuous Drain Current (Ids):
5.80 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Roll, Reel
Part Family:
IRF7379
Количество выводов:
8
Полярность:
P-Channel, N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W (max)
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
  • Серия IRF7379, 30 В, 0,045 Ом, силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с N- и P-каналом - SOIC-8
  • 30V Dual N- and P- Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
  • МОП-транзистор
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: двойной канал N / P
  • Напряжение истока стока, Vds: 30V
  • Постоянный ток утечки, Id: 5,8 А
  • На сопротивление, Rds (вкл.): 45 МОм
  • Испытательное напряжение Rds (on), Vgs: 10 В
  • Package/Case:SO-8
  • Соответствует RoHS: Да

Документы по Infineon IRF7379TRPBF, инструкции, описания, datasheet.

Товары похожие на Infineon IRF7379TRPBF, сравнение характеристик.