Компоненты » Интегральные схемы (ИС) » Линейные ИС » Усилители - операционные усилители, буферные, измерительные приборы
Texas Instruments
LM358M/NOPB
2-канальный, 1 МГц, промышленный стандарт, операционный усилитель 32 В 8-SOIC от 0 до 70
Цена от 33,72 ₽ до 134,86 ₽
Наличие Texas Instruments LM358M/NOPB на складах.
Дистрибьютор
Наличие и цена
На складе 106 шт.
MOQ 950 шт.
Обновлено 03:45 02.03.2021
На складе 9405 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 02:05 04.03.2021
Упаковка Tube На складе 919 шт.
MOQ 16 шт.
Обновлено 17:48 03.03.2021
На складе 919 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:55 03.03.2021
На складе 915 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:18 03.03.2021
Упаковка Tube На складе 190 шт.
Обновлено 09:57 03.03.2021
На складе 12 шт.
Обновлено 21:59 24.02.2021
На складе 7242 шт.
Обновлено 16:26 02.03.2021
Цена по запросу.
На складе 58 шт.
Обновлено 17:16 03.03.2021
Цена по запросу.
На складе 921 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 679 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:28 03.03.2021
На складе 303 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Bulk На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 11:23 03.03.2021
Упаковка Tube Технические характеристики Texas Instruments LM358M/NOPB, атрибуты и параметры.
Пропускная способность:
1.00 MHz
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Продукт увеличения пропускной способности:
1.00 MHz
Input Offset Drift:
7.00 µV/K
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Количество каналов:
2
Количество контуров:
2
Рабочая Температура:
0.00 °C to 70.0 °C
Выходной ток:
20.0 mA
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
8
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Скорость нарастания:
100 mV/μs
Supply Current:
2.00 mA (max)
- 2-канальный, 1 МГц, промышленный стандарт, операционный усилитель 32 В 8-SOIC от 0 до 70
- OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N Rail - Rail/Tube (Alt: LM358M/NOPB)
- OP-AMP
- LOW POWER
- 32 V
- 0.5 MA (TYP.)
- 32 V
- 2 MV (TYP.)
- 5 NA (TYP.)
- SO-8
- Операционный усилитель (ОУ) IC
- Кол-во усилителей: 2
- Скорость нарастания: 0,1 В / мкс
- Количество контактов: 8
- Тип усилителя: рабочий
- Совместимость с ведущим процессом: Да
- Упаковка / ящик: 8-NSOIC
- Peak Reflow Compatible (260 C):Yes
- Соответствует RoHS: Да
- IC, OP AMP, DUAL, SMD
- Тип операционного усилителя: маломощный
- Кол-во усилителей: 2
- Полоса пропускания: 1 МГц
- Скорость нарастания: 0,1 В / мкс
- Диапазон напряжения питания: от 3 В до 32 В
- Стиль корпуса усилителя: SOIC
- Количество контактов: 8
- Диапазон рабочих температур: от 0 ° C до + 70 ° C
- SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
- Полоса пропускания усиления: 1 МГц
- Упаковка / ящик: NSOIC
- Скорость нарастания: 0,1 В / мкс
- Максимальное напряжение питания: 32 В
- Напряжение питания Мин .: 3 В
- Тип завершения: SMD
Документы по Texas Instruments LM358M/NOPB, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Texas Instruments LM358M/NOPB, сравнение характеристик.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура -40.0 °C (min).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Rail.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 700 µA.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Contains Lead.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура 70.0 °C (max).
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Rail.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Non-Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 5.00 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Количество контуров 2.
Рабочая Температура -40.0 °C to 85.0 °C.
Выходной ток 20.0 mA.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Supply Current 2.00 mA (max).
Supply Voltage (DC) 26.0 V.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.
Пропускная способность 1.00 MHz.
Тип корпуса / Кейс VSSOP.
Продукт увеличения пропускной способности 1.00 MHz.
Input Offset Drift 7.00 µV/K.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Количество каналов 2.
Рабочая Температура 0.00 °C to 70.0 °C.
Упаковка Tape.
Количество выводов 8.
RoHS Compliant.
Скорость нарастания 100 mV/μs.