Наличие Vishay IRFB9N65APBF на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 11650 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 122,30 ₽ до 331,01 ₽
На складе 700 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 500 шт.
MOQ 150 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 190 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 11650 шт.
Обновлено 09:25 23.02.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 1751 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube На складе 995 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube На складе 190 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
На складе 190 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 190 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
На складе 385 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 4300 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 120,36 ₽ до 372,89 ₽
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 600 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
На складе 663 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 750 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 4300 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
На складе 9 шт.
Обновлено 13:54 23.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 1000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 99,64 ₽ до 333,39 ₽
На складе 300 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 10:26 23.02.2021
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
Технические характеристики Vishay IRFB9N65APBF, атрибуты и параметры.
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
650 V
- Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
- Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
- MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 167 W
- Полярность транзистора: n канал
- Напряжение истока стока Vds: 650 В
- Идентификатор постоянного тока утечки: 8,5 А
- On Resistance Rds(On):0.93Ohm
- Монтаж транзистора: через отверстие
- Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
- Пороговое напряжение Vgs: 4 В
- Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Нет
Документы по Vishay IRFB9N65APBF, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на Vishay IRFB9N65APBF, сравнение характеристик.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 22.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.50 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Входная емкость 635 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7403.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 37.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 90.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 38.0 A.
Gate Charge 33.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Входная емкость 1.83 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 60.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 17.0 mΩ.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 90.0 W.
RoHS Compliant.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
RoHS Compliant.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO, SOIC.
Текущий рейтинг 6.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.15 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.