ON Semiconductor
FDS8884
N-канал 30 В, 23 мОм, 13 нКл., Поверхностный монтаж, PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Цена от 5,69 ₽ до 364,72 ₽
Наличие ON Semiconductor FDS8884 на складах.
Склад
Наличие и цена
В наличии до 182952 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 5,69 ₽ до 88,86 ₽
На складе 146 шт.
MOQ 114 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 146 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
На складе 356 шт.
Обновлено 18:36 23.02.2021
На складе 5000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 4218 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 2500 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tape & Reel На складе 10000 шт.
MOQ 2500 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
На складе 10000 шт.
Обновлено 10:06 23.02.2021
На складе 4365 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 160 шт.
MOQ 40 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
На складе 160 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
Упаковка Cut Tape На складе 2337 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 8 шт.
Обновлено 17:07 26.01.2021
На складе 2565 шт.
Обновлено 23:05 18.02.2021
Цена по запросу.
На складе 894 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 35 шт.
Обновлено 22:06 21.02.2021
Цена по запросу.
На складе 239 шт.
Обновлено 15:43 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 58 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 182952 шт.
Обновлено 18:55 17.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 2464 шт.
MOQ от 3 шт.
Цена от 19,49 ₽ до 364,72 ₽
На складе 1 шт.
MOQ 3 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
На складе 830 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 200 шт.
MOQ 10 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
На складе 2464 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 16:53 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 699 шт.
Обновлено 07:20 22.02.2021
Цена по запросу.
На складе 380 шт.
Обновлено 21:49 15.02.2021
Цена по запросу.
В наличии до 13500 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 23,78 ₽ до 73,75 ₽
На складе 2337 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:47 23.02.2021
Упаковка Cut Tape (1 шт.) На складе 160 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
На складе 3136 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 23:35 22.02.2021
На складе 13500 шт.
Обновлено 13:00 10.02.2021
Цена по запросу.
Технические характеристики ON Semiconductor FDS8884, атрибуты и параметры.
Breakdown Voltage (Drain to Source):
30.0 V
Тип корпуса / Кейс:
SOIC
Текущий рейтинг:
8.50 A
Gate Charge:
13.0 nC
Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Входная емкость:
635 pF
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Active
Mounting Style:
Surface Mount
Рабочая Температура:
150 °C (max)
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
8
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
2.50 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
30.0 V
Номинальное напряжение (постоянный ток):
30.0 V
- N-канал 30 В, 23 мОм, 13 нКл., Поверхностный монтаж, PowerTrench Mosfet - SOIC-8
- N-канальный МОП-транзистор PowerTrench® 30 В, 8,5 А, 23 мОм
- Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-контактный SOIC N T / R
- This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
- МОП-транзистор, N, SO-8
- Полярность транзистора: N
- Максимальный ток Id: 8,5 А
- Напряжение источника стока Vds: 30 В
- На сопротивлении Rds (вкл.): 23 МОм
- Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
- Максимальное напряжение Vgs: 20 В
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
- Тип корпуса транзистора: SO
- Количество контактов: 8
- SVHC: Нет SVHC (18 июня 2010 г.)
- Постоянный ток утечки, Id: 8,5 А
- Упаковка / ящик: SO-8 (SOIC-8)
- Тип завершения: SMD
- Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,7 В
- Тип транзистора: PowerTrench
- Типовое напряжение Vds: 30 В
- Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В
Документы по ON Semiconductor FDS8884, инструкции, описания, datasheet.
Товары похожие на ON Semiconductor FDS8884, сравнение характеристик.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SSOT.
Текущий рейтинг 5.50 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 5.50 A.
Входная емкость 1.46 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 6.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 7.00 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 7.00 mA.
Входная емкость 635 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
Рассеяние мощности 1.60 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 19.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 18.0 ns (max).
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 46.0 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 46.0 A.
Входная емкость 1.23 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 56.0 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 12.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 7.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.