Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SIB411DK-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
Datasheet

Наличие Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Азия 1
В наличии до 812 шт.
MOQ от 100 шт.
Малайзия
На складе 812 шт.
Обновлено 17:16 27.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
-9.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
  • Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 6-Pin PowerPAK SC-75 T/R
  • P CHANNEL MOSFET, -20V, 9A, SC-75, FULL REEL
  • MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
  • MOSFET, P, PPAK SC-75
  • Тип транзистора: MOSFET
  • Полярность транзистора: P
  • Voltage, Vds Typ:20V
  • Ток, Id Cont: 9A
  • On State Resistance:0.066ohm
  • Напряжение, ВГС при измерении: 4,5В
  • Voltage, Vgs th Typ:-1V
  • Case Style:SC-75
  • Тип завершения: SMD
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 150 ° C
  • Max Junction Temperature, Tj:150°C
  • Power Dissipation Pd:13W
  • Rise Time:40ns
  • Voltage, Vgs th Max:1V
  • Voltage, Vgs th Min:0.4V

Документы по Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 29.07.2008)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay Siliconix SIB411DK-T1-GE3, сравнение характеристик.

Vishay SI4431CDY-T1-GE3
Цена от 24,64 ₽ до 436,76 ₽
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.
Infineon IRF7324TRPBF
Цена от 48,26 ₽ до 977,51 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг -9.00 A.
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7324.
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel, Dual P-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) -20.0 V.
Vishay SIB457EDK-T1-GE3
Цена от 15,25 ₽ до 64,77 ₽
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Vishay SIB417EDK-T1-GE3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -8.00 V.
Vishay SI4473BDY-T1-E3
Цена от до
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape & Reel (TR).
Количество выводов 8.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 3.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 11.0 mΩ.
RoHS Compliant.
Vishay SI4463DY-T1-E3
Цена от 79,85 ₽ до 255,52 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 3.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 20.0 mΩ.
RoHS Compliant.
Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3
Цена от 73,17 ₽ до 73,17 ₽
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.40 W.
Время нарастания 31.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -8.00 V.
Vishay Siliconix SIB419DK-T1-GE3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 2.45 W.
Время нарастания 42.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -12.0 V.
Vishay Siliconix SIB415DK-T1-GE3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -30.0 V.