Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay Siliconix
SIA443DJ-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R

Цена 73,17 ₽
Datasheet

Наличие Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 1
В наличии до 6 шт.
MOQ от 100 шт.
Цена 73,17 ₽
США
На складе 6 шт.
Обновлено 14:13 05.03.2021
73,17 ₽ от 1 шт.

Технические характеристики Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
-9.00 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Surface Mount
Упаковка:
Reel
Количество выводов:
6
Полярность:
P-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
-20.0 V
  • Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
  • P CHANNEL MOSFET, -20V, 9A, SC-70
  • MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Документы по Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(7 страниц, 25.09.2009)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay Siliconix SIA443DJ-T1-GE3, сравнение характеристик.

Vishay SIB457EDK-T1-GE3
Цена от 15,25 ₽ до 64,77 ₽
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -20.0 V.
Vishay SIB417EDK-T1-GE3
Цена от до
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Количество выводов 6.
Полярность P-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) -8.00 V.
Vishay SI4463DY-T1-E3
Цена от 79,85 ₽ до 255,52 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) -20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -12.0 V to 12.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) -9.00 A.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность P-Channel.
Рассеяние мощности 3.00 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 20.0 mΩ.
RoHS Compliant.