Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

STMicroelectronics
STD17NF03L-1

N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package

Цена от 37,54 ₽ до 99,97 ₽
Datasheet

Наличие STMicroelectronics STD17NF03L-1 на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 3
В наличии до 3719 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 37,54 ₽ до 99,97 ₽
США
На складе 1822 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
99,97 ₽ от 1 шт.
84,86 ₽ от 10 шт.
84,86 ₽ от 50 шт.
63,65 ₽ от 100 шт.
43,32 ₽ от 1000 шт.
37,54 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 3719 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube
99,97 ₽ от 1 шт.
81,86 ₽ от 10 шт.
80,38 ₽ от 25 шт.
63,68 ₽ от 100 шт.
53,98 ₽ от 500 шт.
43,97 ₽ от 1000 шт.
41,39 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 48 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
Европа 1
В наличии до 9600 шт.
MOQ от 100 шт.
Германия
На складе 9600 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.

Технические характеристики STMicroelectronics STD17NF03L-1, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Статус жизненного цикла:
Not Recommended for New Designs
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 175 °C
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
Рассеяние мощности:
30.0 W
REACH SVHC Compliance:
No SVHC
RoHS:
Compliant
  • N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package
  • N-Channel 30 V 50 mOhm Through Hole StripFET II Power Mosfet - IPAK
  • Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
  • MOSFET, N CH, 30V, 17A, IPAK
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 8,5 А
  • Напряжение источника стока Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on):38mohm
  • Rds (on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В
  • Пороговое напряжение Vgs Typ: 1,5 В
  • Рассеиваемая мощность Pd: 30 Вт
  • Диапазон рабочих температур: от -55 ° C до + 175 ° C
  • Transistor Case Style:TO-251AA
  • Количество контактов: 3
  • SVHC: Нет SVHC (19 декабря 2011 г.)
  • Максимальный ток Id: 17A
  • Package / Case:IPAK
  • Тип прекращения: сквозное отверстие
  • Тип транзистора: силовой MOSFET
  • Напряжение Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max:16V
  • Напряжение Vgs Rds при измерении: 10 В

Документы по STMicroelectronics STD17NF03L-1, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(14 страниц, 19.02.2007)

Товары похожие на STMicroelectronics STD17NF03L-1, сравнение характеристик.

Vishay IRFB9N65APBF
Цена от 99,64 ₽ до 372,89 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
STMicroelectronics STP17NF25
Цена от 52,21 ₽ до 189,94 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 90.0 W.
RoHS Compliant.
STMicroelectronics STF17NF25
Цена от 50,54 ₽ до 346,93 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor 2SK4099LS
Цена от 79,87 ₽ до 257,15 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.00 W.
RoHS Compliant.
Fairchild Semiconductor IRFP440B
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 20.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 162 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 650 mΩ.
RoHS Compliant.
Fairchild Semiconductor FQPF14N30
Цена от до
Breakdown Voltage (Drain to Source) 300 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -30.0 V to 30.0 V.
Текущий рейтинг 14.4 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Tube.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 50.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 290 mΩ.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 300 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 300 V.
International Rectifier IRFB9N65APBF
Цена от 170,26 ₽ до 283,76 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 650 V.
Текущий рейтинг 8.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Not Listed by Manufacturer.
Mounting Style Through Hole.
Упаковка Bulk.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 167 W.
Время нарастания 20.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 650 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 650 V.