Компоненты  »  Дискретные полупроводники  »  Транзисторы  »  МОП-транзисторы

Vishay
IRFB9N65APBF

Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3

Цена от 99,64 ₽ до 372,89 ₽
Datasheet

Наличие Vishay IRFB9N65APBF на складах.

Склад
Наличие и цена
Америка 12
В наличии до 11650 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 122,30 ₽ до 331,01 ₽
США
На складе 700 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
122,30 ₽ от 50 шт.
США
На складе 500 шт.
MOQ 150 шт.
Обновлено 17:33 22.02.2021
147,87 ₽ от 150 шт.
137,47 ₽ от 500 шт.
США
На складе 190 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:48 20.02.2021
141,32 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 5 шт.
Обновлено 17:48 23.02.2021
289,58 ₽ от 5 шт.
251,26 ₽ от 10 шт.
205,72 ₽ от 100 шт.
197,83 ₽ от 250 шт.
175,50 ₽ от 500 шт.
151,18 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 11650 шт.
Обновлено 09:25 23.02.2021
205,05 ₽ от 50 шт.
181,37 ₽ от 100 шт.
165,20 ₽ от 250 шт.
161,73 ₽ от 500 шт.
152,49 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:26 23.02.2021
301,17 ₽ от 1 шт.
261,31 ₽ от 10 шт.
213,95 ₽ от 100 шт.
205,74 ₽ от 250 шт.
182,52 ₽ от 500 шт.
157,23 ₽ от 1000 шт.
США
На складе 1751 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 19:38 22.02.2021
Упаковка Tube
306,58 ₽ от 1 шт.
264,37 ₽ от 10 шт.
264,37 ₽ от 50 шт.
214,38 ₽ от 100 шт.
166,62 ₽ от 1000 шт.
162,17 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 995 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 14:12 21.02.2021
Упаковка Tube
331,01 ₽ от 1 шт.
278,14 ₽ от 10 шт.
262,50 ₽ от 25 шт.
224,99 ₽ от 100 шт.
199,99 ₽ от 500 шт.
171,25 ₽ от 1000 шт.
164,77 ₽ от 2500 шт.
США
На складе 190 шт.
MOQ 1000 шт.
Обновлено 02:53 23.02.2021
189,46 ₽ от 1000 шт.
184,83 ₽ от 2000 шт.
180,21 ₽ от 3000 шт.
176,75 ₽ от 5000 шт.
173,28 ₽ от 10000 шт.
США
На складе 190 шт.
Обновлено 21:34 21.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 190 шт.
Обновлено 20:24 19.02.2021
Цена по запросу.
США
На складе 385 шт.
Обновлено 17:57 22.02.2021
Цена по запросу.
Европа 6
В наличии до 4300 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 120,36 ₽ до 372,89 ₽
Польша
На складе 1 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 10:23 04.02.2021
168,51 ₽ от 1 шт.
151,32 ₽ от 5 шт.
134,12 ₽ от 25 шт.
120,36 ₽ от 100 шт.
Европейский союз
На складе 600 шт.
MOQ 50 шт.
Обновлено 07:49 23.02.2021
210,73 ₽ от 50 шт.
180,06 ₽ от 100 шт.
179,84 ₽ от 200 шт.
173,61 ₽ от 300 шт.
173,38 ₽ от 400 шт.
157,06 ₽ от 500 шт.
133,69 ₽ от 5000 шт.
Британия
На складе 663 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 05:45 23.02.2021
372,89 ₽ от 1 шт.
339,41 ₽ от 10 шт.
319,18 ₽ от 25 шт.
295,08 ₽ от 50 шт.
270,81 ₽ от 100 шт.
Германия
На складе 750 шт.
Обновлено 15:03 22.02.2021
Цена по запросу.
Швеция
На складе 4300 шт.
Обновлено 13:02 09.02.2021
Цена по запросу.
Германия
На складе 9 шт.
Обновлено 13:54 23.02.2021
Цена по запросу.
Азия 2
В наличии до 1000 шт.
MOQ от 1 шт.
Цена от 99,64 ₽ до 333,39 ₽
Китай
На складе 300 шт.
MOQ 500 шт.
Обновлено 10:26 23.02.2021
99,64 ₽ от 500 шт.
99,64 ₽ от 10000 шт.
Китай
На складе 1000 шт.
MOQ 1 шт.
Обновлено 15:42 23.02.2021
333,39 ₽ от 1 шт.
289,27 ₽ от 10 шт.
246,32 ₽ от 100 шт.
227,76 ₽ от 250 шт.
202,06 ₽ от 500 шт.
174,05 ₽ от 1000 шт.

Технические характеристики Vishay IRFB9N65APBF, атрибуты и параметры.

Continuous Drain Current (Ids):
8.50 A
Lead-Free Status:
Lead Free
Mounting Style:
Through Hole
Рабочая Температура:
-55.0 °C to 150 °C
Упаковка:
Tube
Количество выводов:
3
Полярность:
N-Channel
RoHS:
Compliant
Drain to Source Voltage (Vds):
650 V
  • Single N-Channel 650 V 0.93 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
  • Trans MOSFET N-CH 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
  • MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 167 W
  • Полярность транзистора: n канал
  • Напряжение истока стока Vds: 650 В
  • Идентификатор постоянного тока утечки: 8,5 А
  • On Resistance Rds(On):0.93Ohm
  • Монтаж транзистора: через отверстие
  • Rds(On) Test Voltage Vgs:10V
  • Пороговое напряжение Vgs: 4 В
  • Ассортимент продукции: - Соответствие Rohs: Нет

Документы по Vishay IRFB9N65APBF, инструкции, описания, datasheet.

Техническая спецификация
(8 страниц, 28.01.2009)
Заявление Rohs
(5 страниц, 12.01.2012)

Товары похожие на Vishay IRFB9N65APBF, сравнение характеристик.

Vishay SI4214DDY-T1-GE3
Цена от 23,45 ₽ до 387,85 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Vishay SI4850EY-T1-E3
Цена от 41,82 ₽ до 1 185,35 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 175 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 1.70 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 22.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
ON Semiconductor FDS8884
Цена от 5,69 ₽ до 364,72 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.50 A.
Gate Charge 13.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Входная емкость 635 pF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Reel.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
Infineon IRF7403TRPBF
Цена от 34,67 ₽ до 649,49 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Тип корпуса / Кейс SOIC.
Текущий рейтинг 8.50 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура 150 °C (max).
Упаковка Cut Tape (CT), Bulk.
Part Family IRF7403.
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.50 W (max).
Время нарастания 37.0 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.
STMicroelectronics STD17NF25
Цена от 56,08 ₽ до 263,05 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 90.0 W.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
RoHS Compliant.
ON Semiconductor FDD5680
Цена от 50,87 ₽ до 231,04 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 60.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс TO-252.
Текущий рейтинг 38.0 A.
Gate Charge 33.0 nC.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Входная емкость 1.83 nF.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Tape.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 60.0 W.
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 17.0 mΩ.
Время нарастания 9.00 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 60.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 60.0 V.
Vishay SI7900AEDN-T1-E3
Цена от 49,56 ₽ до 197,72 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Reel.
Полярность N-Channel, Dual N-Channel.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 20.0 V.
STMicroelectronics STP17NF25
Цена от 52,21 ₽ до 189,94 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 90.0 W.
RoHS Compliant.
STMicroelectronics STF17NF25
Цена от 50,54 ₽ до 346,93 ₽
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Through Hole.
Рабочая Температура -55.0 °C to 150 °C.
Упаковка Tube.
Количество выводов 3.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 25.0 W.
RoHS Compliant.
Diodes Inc. ZXMN3A04DN8TA
Цена от 47,90 ₽ до 312,94 ₽
Breakdown Voltage (Drain to Source) 30.0 V.
Breakdown Voltage [Gate to Source] -20.0 V to 20.0 V.
Тип корпуса / Кейс SO, SOIC.
Текущий рейтинг 6.80 A.
Continuous Drain Current (Ids) 8.50 A.
Lead-Free Status Lead Free.
Статус жизненного цикла Active.
Mounting Style Surface Mount.
Упаковка Cut Tape (CT).
Количество выводов 8.
Полярность N-Channel.
Рассеяние мощности 2.15 W (max).
Drain to Source Resistance (on) (Rds) 30.0 mΩ.
REACH SVHC Compliance No SVHC.
Время нарастания 6.10 ns.
RoHS Compliant.
Drain to Source Voltage (Vds) 30.0 V.
Номинальное напряжение (постоянный ток) 30.0 V.